[发明专利]等离子处理装置的多头处理腔室的压力控制系统

说明书

提供一种压力控制系统。该压力控制系统包括构件，该构件至少部分位于泵送端口内，该泵送端口流体耦合在多头处理腔室与泵之间，该泵被配置为从多头处理腔室中抽出气体。该构件可相对于泵送端口转动。该压力控制系统包括多个压力传感器。所述压力传感器中的每个压力传感器被配置为获得指示在多头处理腔室的对应头处进入多头处理腔室的气流的压力的数据。该压力控制系统包括致动器，该致动器被配置为转动所述构件以控制多头处理腔室的第一处理头处的气流的压力。

技术领域

本公开一般涉及具有多头处理腔室的等离子体处理装置，并且更具体地涉及多头处理腔室的压力控制系统。

背景技术

等离子体处理工具可以用于制造诸如集成电路、微机械设备、平板显示器和其他设备之类的设备。可能要求用于现代等离子体蚀刻应用的等离子体处理工具来提供高等离子体均匀性和多种等离子体控制，这些等离子体控制包括独立等离子体分布(profile)、等离子体密度、以及离子能量控制。在一些情况下，可能要求等离子体处理工具使稳定的等离子体保持处于多种工艺气体中且处于多种不同条件(例如，气流、气压等)下。

等离子体处理工具可以包括处理腔室，在该处理腔室中，对工件(例如，半导体晶片)进行处理。例如，处理腔室可以是共享公共气体供应部的双头腔室。等离子体处理工具可以包括节流阀，该节流阀流体耦合到公共气体供应部。节流阀可以在第一位置(例如，完全打开位置)与第二位置(例如，完全关闭位置)之间移动以将气体选择性地输送到双头腔室的每个头。在一些实例中，双头腔室的第一头与双头腔室的第二头之间的压差可能至少部分由于节流阀处于中间第三位置而发生。这种压差比如会在对正在被处理的一个或多个工件进行处理时造成非均匀性。

发明内容

在以下描述中对本公开的各方面和各优点进行部分阐述，或这些方面和优点根据描述可能是显而易见的，或可以通过实践实施例而获知。

在一个方面中，提供了一种压力控制系统。该压力控制系统包括构件，该构件至少部分位于泵送端口内，该泵送端口流体耦合在多头处理腔室与泵之间，该泵被配置为从多头处理腔室中抽出气体。该构件可相对于泵送端口转动。压力控制系统包括多个压力传感器。压力传感器中的每个压力传感器被配置为获得指示在多头处理腔室的对应头处进入多头处理腔室的气流的压力的数据。压力控制系统包括致动器，该致动器被配置为转动构件以控制多头处理腔室的第一处理头处的气流的压力。

在另一方面中，提供了一种等离子体处理装置的多头处理腔室的压力控制系统的操作控制方法。该方法包括：从压力控制系统的第一压力传感器获得第一数据，该第一数据指示经由多头处理腔室的第一头进入多头处理腔室的气流的压力。该方法还包括：至少部分基于第一数据来提供一个或多个控制信号，该一个或多个控制信号与转动构件相关联，该构件至少部分位于泵送端口内，该泵送端口流体耦合在多头处理腔室与泵之间，该泵被配置为从多头处理腔室中抽出气体。

在又一方面中，提供了一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置包括多头处理腔室。该等离子体处理装置包括泵送端口，该泵送端口流体耦合到多头处理腔室。等离子体处理装置包括泵，该泵经由泵送端口流体耦合到多头处理腔室。泵被配置为经由泵送端口从多头处理腔室中抽出气体。等离子体处理装置包括压力控制系统。该压力控制系统包括构件，该构件至少部分位于泵送端口内。该构件可相对于泵送端口转动。压力控制系统包括多个压力传感器。压力传感器中的每个压力传感器被配置为获得指示经由多头处理腔室的对应头进入多头处理腔室的气流的压力的数据。压力控制系统包括致动器，该致动器被配置为转动构件以控制多头处理腔室的第一头处的气流的压力。

参考以下描述和所附权利要求，将对本公开的这些和其他特征、方面和优点进行更好的理解。并入本说明书中并且构成本说明书一部分的附图说明了本发明的实施例，并且与说明书一起用来解释本发明的原理。

附图说明

在包括参考附图在内的本说明书的其余部分中更具体地阐述了对本领域普通技术人员而言是完整且能够实现的公开，其中