[发明专利]等离子处理装置的多头处理腔室的压力控制系统在审
申请号: | 202110805518.2 | 申请日: | 2021-07-16 |
公开(公告)号: | CN114975054A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 龙茂林;管长乐;李俊良 | 申请(专利权)人: | 北京屹唐半导体科技股份有限公司;玛特森技术公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 北京易光知识产权代理有限公司 11596 | 代理人: | 武晨燕 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子 处理 装置 多头 压力 控制系统 | ||
1.一种压力控制系统,包括:
构件,至少部分位于泵送端口内,所述泵送端口流体耦合在多头处理腔室与泵之间,所述泵被配置为从所述多头处理腔室中抽出气体,所述构件能够相对于所述泵送端口转动;
多个压力传感器,所述压力传感器中的每个压力传感器被配置为获得指示在所述多头处理腔室的对应头处进入所述多头处理腔室的气流的压力的数据;以及
致动器,被配置为转动所述构件以控制所述多头处理腔室的第一头处的气流的压力。
2.根据权利要求1所述的压力控制系统,其中所述致动器被配置为沿第一方向或第二方向转动所述构件以控制所述多头处理腔室的所述第一处理头处的气流的压力。
3.根据权利要求1所述的压力控制系统,其中所述致动器被配置为转动所述构件以控制所述多头处理腔室的所述第一头处的气流的压力与所述多头处理腔室的第二头处的气流的压力之间的压差。
4.根据权利要求3所述的压力控制系统,其中所述致动器被配置为沿第一方向或第二方向转动所述构件以将所述压差从第一值减小到第二值,所述第二值大于零。
5.根据权利要求3所述的压力控制系统,其中所述致动器被配置为沿第一方向或第二方向转动所述构件以将所述压差从第一值增大到第二值。
6.根据权利要求1所述的压力控制系统,其中所述压力传感器中的每个压力传感器包括压力计。
7.根据权利要求1所述的压力控制系统,其中所述构件包括轴,所述轴具有第一端和第二端,所述第一端延伸到所述泵送端口的第一突出部中,所述第二端延伸穿过所述泵送端口的第二突出部。
8.根据权利要求7所述的压力控制系统,其中所述致动器包括第一磁性耦合器和第二磁性耦合器,所述第一磁性耦合器位于所述第二突出部内,所述第二磁性耦合器围绕所述第二突出部的外部表面。
9.根据权利要求8所述的压力控制系统,其中所述第一磁性耦合器和所述第二磁性耦合器均包括磁性屏蔽和多个磁体,所述磁体中的每个磁体位于由所述磁性屏蔽限定的多个凹部中的对应凹部内。
10.一种用于等离子体处理装置的多头处理腔室的压力控制系统的操作控制方法,所述方法包括:
通过一个或多个控制设备从所述压力控制系统的第一压力传感器获得第一数据,所述第一数据指示经由所述多头处理腔室的第一头进入所述多头处理腔室的气流的压力;以及
通过所述一个或多个控制设备至少部分基于所述第一数据来提供一个或多个控制信号,所述一个或多个控制信号与使转动构件转动相关联,所述构件至少部分位于泵送端口内,所述泵送端口流体耦合在所述多头处理腔室与泵之间,所述泵被配置为从所述多头处理腔室抽出气体。
11.根据权利要求10所述的方法,其中提供一个或多个控制信号包括:通过所述一个或多个控制设备,将所述一个或多个控制信号提供给致动器,所述致动器被配置为转动所述构件。
12.根据权利要求10所述的方法,还包括:
通过所述一个或多个控制设备从所述压力控制系统的第二压力传感器获得第二数据,所述第二数据指示经由所述多头处理腔室的第二头进入所述多头处理腔室的气流的压力。
13.根据权利要求12所述的方法,其中提供一个或多个控制信号包括:通过所述一个或多个控制设备至少部分基于所述第一数据和所述第二数据来提供所述一个或多个控制信号,以控制经由所述第一头进入所述多头处理腔室的气流与经由所述第二头进入所述多头处理腔室的气流之间的压差。
14.根据权利要求13所述的方法,其中提供一个或多个控制信号包括:通过所述一个或多个控制设备提供所述一个或多个控制信号以转动所述构件,从而消除所述压差。
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