[发明专利]多个存储器装置的交错刷新地址计数器以及相关方法、装置和系统

说明书

公开了多个存储器装置的交错刷新地址计数器以及相关的方法、装置和系统。一种方法可以包含调整多个存储器装置中的至少一个存储器装置的刷新地址计数器的计数，使得所述至少一个存储器装置的所述刷新地址计数器的所述计数偏离所述多个存储器装置中的至少一个其它存储器装置的刷新地址计数器的计数。所述方法还可以包含在所述多个存储器装置的每一个处接收刷新命令。进一步地，所述方法可以包含在所述多个存储器装置的每一个处刷新由相关联的刷新地址计数器的计数指示的一行存储器单元。

优先权请求

本申请要求2020年8月6日提交的、发明名称为“多个存储器装置的交错刷新地址计数器以及相关方法、装置和系统(Staggering Refresh Address Counters of a Numberof Memory Devices,and Related Methods,Devices,and Systems)”的美国专利申请序列第16/987,168号的提交日的权益。

技术领域

本公开的实施例涉及存储器装置。更具体地，各种实施例涉及多个存储器装置的交错刷新地址计数器，以及相关的方法、装置和系统。

背景技术

存储器装置被广泛用于在诸如计算机、无线通信装置、照相机、数字显示器等各种电子装置中存储信息。通过将存储器装置中的存储器单元编程为各种状态来存储信息。例如，二进制存储器单元可以被编程为两种支持状态中的一种，通常由逻辑1或逻辑0表示。在一些示例中，单个存储器单元可以支持多于两种状态，其中任何一种状态都可以被存储。为了访问存储的信息，部件可以读取或感测存储器装置中的至少一种存储状态。为了存储信息，部件可以在存储器装置中写入或编程状态。

存在各种类型的存储器装置和存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、闪存存储器、相变存储器(PCM)、自选择存储器、硫属化物存储技术等。存储器单元可以是易失性的或非易失性的。即使在没有外部电源的情况下，非易失性存储器(例如FeRAM)也可以长时间保持其存储的逻辑值。易失性存储器装置(例如DRAM)在与外部电源断开时可能会失去其存储状态。

发明内容

本公开的各种实施例可以包含一种方法。该方法可以包含调整一列内的多个存储器装置中的至少一个存储器装置的刷新地址计数器的计数，使得该至少一个存储器装置的刷新地址计数器的计数偏离该列内的多个存储器装置中的至少一个其它存储器装置的刷新地址计数器的计数。该方法还可以包含在多个存储器装置的每一个处接收刷新命令。进一步地，该方法可以包含在多个存储器装置的每一个处刷新由相关联的刷新地址计数器的计数指示的一行存储器单元。

根据其它实施例，一种方法可以包含在共享刷新命令总线的多个存储器装置的每一个处接收刷新命令。该方法还可以包含对于多个存储器装置中的每一个，识别由存储器装置的刷新地址计数器的值指示的存储器装置的一行存储器单元。进一步地，多个存储器装置中的第一存储器装置的刷新地址计数器的值偏离多个存储器装置中的至少一个其它存储器装置的刷新地址计数器的值。此外，该方法可以包含在多个存储器装置的每一个处刷新一行识别的存储器单元。

本公开的一些实施例包含一种存储器模块。该存储器模块可以包含一列的多个存储器装置。该列的多个存储器装置中的每个存储器装置包含存储器单元阵列和具有索引的刷新地址计数器。该列的每个存储器装置包含对于该列唯一的索引。此外，该列的多个存储器装置中的每个存储器装置包含控制器，该控制器耦合到刷新地址计数器，并且被配置为响应于接收到刷新命令，基于刷新地址计数器的索引来刷新一行存储器单元阵列。