[发明专利]显示设备及制造其的方法在审
| 申请号: | 202110804318.5 | 申请日: | 2021-07-16 |
| 公开(公告)号: | CN114068637A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
| 发明(设计)人: | 白炅旼;成炫阿;申铉亿 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L25/16 |
| 代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 设备 制造 方法 | ||
本申请涉及显示设备和制造显示设备的方法。根据本公开的实施方式的显示设备可以包括:基础层,包括第一表面和第二表面;像素电路层,包括在第一表面上的第一线;显示元件层,位于像素电路层上并包括显示元件;薄膜封装层,位于显示元件层上;第一保护层,位于薄膜封装层上;以及第二线,位于第二表面上以与第一线对应。第一保护层可以包括透明绝缘材料。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年7月31日提交的第10-2020-0096338号韩国专利申请的优先权和权益,所述韩国专利申请的全部内容通过引用在此并入。
技术领域
本公开涉及像素和显示设备以及制造显示设备的方法。
背景技术
随着对信息显示的兴趣的增加和对利用便携式信息媒介的需求的增加,对显示设备(其可以显示信息和/或是可便携的)的需求和商业化正受到关注。
发明内容
本公开的方面涉及用于保护显示面板的保护层。
根据本公开的实施方式的显示设备包括:基础层,包括第一表面和第二表面;像素电路层,包括在第一表面上的第一线;显示元件层,位于像素电路层上并包括显示元件;薄膜封装层,位于显示元件层上;第一保护层,位于薄膜封装层上;以及第二线,位于第二表面上以与第一线对应。第一保护层包括(例如,是)透明绝缘材料。
第一保护层可以包括(例如,是)钼氧化物(MoO3)或硅氧化物(SiOx)。
显示元件层可以包括发光元件,并且发光元件可以包括有机发光二极管或无机发光二极管。
显示设备还可以包括位于显示元件层和薄膜封装层之间的光转换层。
光转换层可以包括颜色转换层和滤色器,颜色转换层在发光元件上并且包括将从发光元件发射的第一颜色光转换为第二颜色光的颜色转换颗粒,滤色器位于显示元件层或颜色转换层上。
像素电路层可以包括多个绝缘层和至少一个晶体管,至少一个晶体管可以包括:第一半导体层,位于基础层的第一表面上并且包括沟道区域、源极区域和漏极区域;栅电极,定位成与沟道区域重叠;以及源电极和漏电极,分别联接(例如,连接)到源极区域和漏极区域,并且多个绝缘层可以包括:栅极绝缘层,位于第一半导体层与栅电极之间;以及第一层间绝缘层,位于栅电极上。
第一线可以包括选自位于与栅电极相同的层上的第一栅极线和位于与源电极或漏电极相同的层上的第一数据线中的至少一个。
第二线可以包括从第二栅极线和第二数据线中选择的至少一个,第二栅极线通过穿过基础层的基础孔电联接(例如,连接)到第一栅极线,第二数据线通过基础孔电联接(例如,连接)到第一数据线。
基础孔可以填充有导电材料,并且第一线和第二线可以通过导电材料彼此物理联接和电联接(例如,连接)。
显示设备还可以包括下保护层,下保护层完全位于包括第二线的第二表面上并且在预定或设定区域(例如,下保护层的设定区域)中暴露第二线的一部分。
显示设备还可以包括连接膜,连接膜接触第二线的由下保护层暴露的部分。
根据实施方式的制造显示设备的方法包括:准备限定有基础孔区域的基础层,并且向基础孔区域照射激光以形成基础孔;将导电材料填充到通过用激光处理(例如,照射)而形成的基础孔中;将第一表面保护膜联接(例如,附接)到基础层的第一表面,并将第二表面保护膜联接(例如,附接)到基础层的第二表面;去除第一表面保护膜,并且在基础层的第一表面上顺序形成包括第一线的电路元件层、显示元件层和薄膜封装层;在薄膜封装层上形成第一保护层和第二保护层;上下旋转基础层并去除第二表面保护膜,并且在基础层的第二表面上形成第二线;以及上下旋转基础层并去除第二保护层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





