[发明专利]显示设备及制造其的方法在审

专利信息
申请号: 202110804318.5 申请日: 2021-07-16
公开(公告)号: CN114068637A 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 白炅旼;成炫阿;申铉亿 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52;H01L25/16
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人: 王达佐;刘铮
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 显示 设备 制造 方法
【权利要求书】:

1.显示设备,包括:

基础层,具有第一表面和第二表面;

像素电路层,包括在所述第一表面上的第一线;

显示元件层,在所述像素电路层上,并且包括显示元件;

薄膜封装层,在所述显示元件层上;

第一保护层,在所述薄膜封装层上;以及

第二线,在所述第二表面上以与所述第一线对应,

其中,所述第一保护层包括透明绝缘材料。

2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第一保护层包括钼氧化物或硅氧化物。

3.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述显示元件层包括发光元件,以及

所述发光元件包括有机发光二极管或无机发光二极管。

4.根据权利要求3所述的显示设备,还包括:

光转换层,在所述显示元件层和所述薄膜封装层之间。

5.根据权利要求4所述的显示设备,其中,所述光转换层包括:

颜色转换层,在所述发光元件上并且包括颜色转换颗粒,以将从所述发光元件发射的第一颜色光转换为第二颜色光;以及

滤色器,在所述显示元件层或所述颜色转换层上。

6.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述像素电路层包括多个绝缘层和至少一个晶体管,

所述至少一个晶体管中的一个晶体管包括:

第一半导体层,位于所述基础层的所述第一表面上并且包括沟道区域、源极区域和漏极区域;

栅电极,与所述沟道区域重叠;以及

源电极和漏电极,分别联接到所述源极区域和所述漏极区域,以及

所述多个绝缘层包括:

栅极绝缘层,在所述第一半导体层与所述栅电极之间;以及

第一层间绝缘层,在所述栅电极上。

7.根据权利要求6所述的显示设备,其中,所述第一线包括在与所述栅电极相同的层上的第一栅极线和在与所述源电极和/或所述漏电极相同的层上的第一数据线。

8.根据权利要求7所述的显示设备,其中,所述第二线包括第二栅极线和第二数据线,所述第二栅极线通过穿过所述基础层的第一基础孔电联接到所述第一栅极线,所述第二数据线通过穿过所述基础层的第二基础孔电联接到所述第一数据线。

9.制造显示设备的方法,所述方法包括:

准备限定有基础孔区域的基础层,并且向所述基础孔区域照射激光以形成基础孔;

将导电材料填充到通过用所述激光照射而形成的所述基础孔中;

将第一表面保护膜附接到所述基础层的第一表面,并且将第二表面保护膜附接到所述基础层的第二表面;

去除所述第一表面保护膜,并且在所述基础层的所述第一表面上顺序形成包括第一线的电路元件层、显示元件层和薄膜封装层;

在所述薄膜封装层上形成第一保护层和第二保护层;

颠倒旋转所述基础层并去除所述第二表面保护膜,并且在所述基础层的所述第二表面上形成第二线;以及

颠倒旋转所述基础层并去除所述第二保护层。

10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述第一保护层由包括钼氧化物或硅氧化物的绝缘材料形成。

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