[发明专利]具有防碰撞间隙结构的光掩模盒在审
| 申请号： | 202110800663.1 | 申请日： | 2021-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN114334751A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 邱铭乾;庄家和;李怡萱;温星闵;薛新民 | 申请（专利权）人： | 家登精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘金凤;臧微微 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 碰撞 间隙 结构 光掩模盒 | ||
1.一种光掩模盒，用以容置一光掩模，其特征在于，该光掩模盒包含：
一基座；以及
多个支撑装置，设于该基座上，支撑该光掩模，该光掩模的一底面的一外围区域与该基座的一朝上顶面之间形成一第一间隙，该基座的底面的一中央区域与该基座的朝上顶面之间形成一第二间隙，其中该中央区域受该外围区域围绕，该第二间隙大于第一间隙。
2.如权利要求1所述的光掩模盒，其特征在于，该基座具有环绕该朝上顶面的一支撑面，该支撑面为一环状平面。
3.如权利要求1所述的光掩模盒，其特征在于，该第一间隙为0.18至0.30mm。
4.如权利要求1所述的光掩模盒，其特征在于，该第二间隙的为1.50mm以上。
5.如权利要求1所述的光掩模盒，其特征在于，面对该光掩模的该基座的朝上顶面，具有小于0.06mm的平面度。
6.如权利要求1所述的光掩模盒，其特征在于，该第一间隙是指该光掩模的底面的外围区域至该基座的朝上顶面的最小距离，该第二间隙是指该光掩模的底面的中央区域至该基座的朝上顶面的最小距离。
7.如权利要求1所述的光掩模盒，其特征在于，该光掩模的底面的中央区域至少涵盖该光掩模的一图案区域。
8.如权利要求1所述的光掩模盒，其特征在于，该基座的朝上顶面具一挠曲面。
9.如权利要求1所述的光掩模盒，其特征在于，该外围区域具有一外缘和一内缘，该外围区域在该外缘和该内缘之间延伸，且该外缘和该内缘之间的距离小于5毫米。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于家登精密工业股份有限公司，未经家登精密工业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110800663.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
