[发明专利]一种半导体结构的制造方法及其测试方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括待形成台阶结构的第一区；

在衬底上形成堆叠层，所述堆叠层包括依次层叠的第一介质层和第二介质层；

在所述堆叠层上形成硬掩模墙；所述硬掩模墙位于所述第一区内，且所述硬掩模墙将所述第一区划分为多个第二区；所述硬掩模墙中形成有台阶结构标记；

形成光刻胶层，所述光刻胶层暴露出所述第二区内待刻蚀的所述堆叠层；

对待刻蚀的堆叠层进行刻蚀，得到台阶结构。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述光刻胶层覆盖所述台阶结构标记。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述台阶结构标记沿垂直于所述衬底的方向纵向贯穿所述硬掩模墙。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述硬掩模墙中形成有多个所述台阶结构标记，多个所述台阶结构标记沿所述硬掩模墙的延伸方向间隔排布。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述硬掩模墙的数量为多个，多个所述硬掩模墙互相平行，且每个所述硬掩模墙中形成有所述台阶结构标记。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，每个所述硬掩模墙中形成一个所述台阶结构标记，且多个所述硬掩模墙中的各所述台阶结构标记，在多个所述硬掩模墙的排列方向上相互对齐，或者在多个所述硬掩模墙的排列方向上相互错开。

7.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，每个所述硬掩模墙中形成多个所述台阶结构标记，且多个所述硬掩模墙中的各所述台阶结构标记构成阵列排布；或者，所述硬掩模墙中多个所述台阶结构标记，与相邻于该硬掩模墙的所述硬掩模墙中多个所述台阶结构标记错位排布。

8.根据权利要求1-7任意一项所述的制造方法，其特征在于，所述在所述堆叠层上形成硬掩模墙，包括：

在所述堆叠层上形成硬掩模层；

在所述硬掩模层上形成光刻胶，以所述光刻胶为掩蔽，对所述硬掩模层进行刻蚀，得到所述硬掩模墙。

9.根据权利要求1-7任意一项所述的制造方法，其特征在于，对待刻蚀的所述堆叠层进行刻蚀，得到台阶结构，包括：

对所述光刻胶层进行修剪，以修剪后的光刻胶层为掩蔽，对待刻蚀的所述堆叠层进行刻蚀，以形成台阶结构。

10.一种半导体结构的测试方法，其特征在于，所述测试方法应用的半导体结构是利用权利要求1-9任意一项所述的制造方法形成，利用所述台阶结构标记与所述台阶结构的位置的差值得到所述台阶结构的偏移量。