[发明专利]一种带水汽蒸发系统的工艺腔室在审
申请号: | 202110799500.6 | 申请日: | 2021-07-15 |
公开(公告)号: | CN113380677A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 宋立禄;张海林;滕玉朋;刘国霞;吴寄浩 | 申请(专利权)人: | 青岛赛瑞达电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 青岛晸投知识产权代理事务所(普通合伙) 37353 | 代理人: | 李常芳 |
地址: | 266000 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 水汽 蒸发 系统 工艺 | ||
本发明公开了一种带水汽蒸发系统的工艺腔室,包括架体,架体上安装有加热器,加热器的内侧安装有工艺管,工艺管安装在加热器之间,且为非接触式固定安装,工艺管的管口处设置有工艺管密封法兰压紧工艺管密封圈,在管口的外侧设置有摆动炉门,工艺管下端的内壁上设置有工艺进气管,所述工艺进气管的一端连接有进气阀,所述进气阀的另一端通过连接管连接有水汽蒸发系统本发明的有益效果是,在正常硼扩散工艺后通入水汽,进入工艺腔室的水汽对原有工艺腔室内部残存的化学物质进行水汽中和,避免工艺腔室内部和管口产生存留物质,黏附炉门和工艺腔室内不干净的作用,延长工艺腔室拆卸清洗周期,提高设备利用率,提高产能,减少工艺管拆换工作量。
技术领域
本发明涉及光伏领域和半导体领域管式低压硼扩散炉和氧化炉类别设备技术领域,特别是一种带水汽蒸发系统的工艺腔室。
背景技术
常规的用法,是BBr3低压扩散炉在工艺过程后,会逐渐残留硼酸等物质在工艺腔室内壁和炉口与炉门位置,属于粘性状,多炉次工艺过程后,炉门即被炉口残留积存的粘性物质粘连,不能正常打开炉门,工艺管内壁同样有粘性物质残留,对于工艺腔室内部的片舟进行粘连,此种状况下就需要停止工作,加热器断电降温,等1050℃的工作温度降低到接近室温后,对套装在加热器内部的工艺管腔室进行拆卸、清洗或更换,一次拆卸或更换需要至少两个班次的时间,其中降温时间需要12-15小时,拆换需要2-3小时,浪费产能,增加工作人员的工作量,还可能在拆卸、清洗、更换中损坏工艺管腔室(石英材质)。
发明内容
本发明的目的是为了解决上述问题,设计了一种带水汽蒸发系统的工艺腔室。
实现上述目的本发明的技术方案为,一种带水汽蒸发系统的工艺腔室,包括架体,所述架体上安装有加热器,所述加热器的内侧安装有工艺管,所述工艺管安装在加热器之间,且为非接触式固定安装,所述工艺管的管口处设置有工艺管密封法兰压紧工艺管密封圈,在管口的外侧设置有摆动炉门,所述工艺管下端的内壁上设置有工艺进气管,所述工艺进气管的一端连接有进气阀,所述进气阀的另一端通过连接管连接有水汽蒸发系统。
作为对本发明的进一步说明,所述水汽蒸发系统包括蒸汽系统外框,所述蒸汽系统外框底部的端脚处设置有架体,所述连接管伸入蒸汽系统外框连接着蒸汽系统外框内的水蒸气管,所述水蒸气管管身的外围包裹有蒸发加热器,所述水蒸气管的另一端通过连接管连接有气水三通座,所述气水三通座的另外两个方向通过连接管分别连接有气流量计和水流量计。
作为对本发明的进一步说明,所述气流量计的另一端通过连接管连接有气阀门,所述气阀门的另一端通过连接管连接有携带气进气管。
作为对本发明的进一步说明,所述水流量计的另一端通过连接管连接有水阀门,所述水阀门的另一端通过连接管连接有压力表,所述压力表的另一端通过连接管连接有水罐出水管,所述水罐出水管伸入到微正压水罐。
作为对本发明的进一步说明,所述微正压水罐的上盖处设置有水罐补水口和水罐进气管,所述水罐进气管的端部连接有控压进气管。
作为对本发明的进一步说明,所述加热器和工艺管之间设置有垫块,所述工艺管通过垫块固定在加热器的内部,所述工艺管的一端设置有尾部隔热堵块,且所述尾部隔热堵块固定安装于所述加热器之间,所述加热器的一端设置有口部保温软堵块,且所述口部保温软堵块固定安装于所述加热器和工艺管之间,所述口部保温软堵块设置于所述加热器一端的端口处。
作为对本发明的进一步说明,从所述工艺管中部位置伸到加热器外部处设置有出气管和真空管,所述出气管和真空管的端头处设置有阀门。
作为对本发明的进一步说明,所述工艺管密封法兰的一侧设置有工艺炉口法兰,所述工艺管密封圈设置于工艺管、工艺管密封法兰和工艺炉口法兰之间,所述摆动炉门设置于所述工艺炉口法兰的一侧,且所述摆动炉门和工艺管炉口法兰之间设置有炉口密封圈。
作为对本发明的进一步说明,所述工艺管的内部设置有晶舟,所述晶舟上固定有晶片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造