[发明专利]图像传感器

说明书

提供一种图像传感器，其可以包括：半导体衬底，具有表面并包括沟槽，所述沟槽从所述表面延伸到所述半导体衬底中；绝缘图案，设置在所述沟槽中；以及掺杂区域，在所述半导体衬底中且在所述绝缘图案上。所述掺杂区域包括：侧部，在所述绝缘图案的侧表面上；以及底部，在所述绝缘图案的底表面上。所述掺杂区域的侧部的厚度为所述掺杂区域的底部的厚度的85％至115％，所述掺杂区域的侧部中的每单位面积的掺杂剂数量是所述底部中的每单位面积的掺杂剂数量的85％至115％。

相关申请的交叉引用

本专利申请要求于2020年9月29日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2020-0126750的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开涉及一种图像传感器及其制造方法，并且更具体地，涉及一种具有掺杂区域的图像传感器及其制造方法。

背景技术

图像传感器是将光学图像转换为电信号的设备。图像传感器分为两种类型：电荷耦合器件(CCD)型和互补金属氧化物半导体(CMOS)型。CMOS型图像传感器简称为CIS。CIS包括二维布置的多个像素。每个单位像素区域包括光电二极管，该光电二极管用于将入射光转换为电信号。

发明内容

一个方面是提供一种具有改善的电学和光学特性的图像传感器。

根据一个或多个实施例的一个方面，提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：半导体衬底，具有表面并且包括沟槽，所述沟槽从所述表面延伸到所述半导体衬底中；绝缘图案，设置在所述沟槽中；以及掺杂区域，在所述半导体衬底中且在所述绝缘图案上，其中，所述掺杂区域包括：侧部，在所述绝缘图案的侧表面上；以及底部，在所述绝缘图案的底表面上，其中，所述掺杂区域的侧部的厚度为所述掺杂区域的底部的厚度的85％至115％，所述掺杂区域的侧部中的每单位面积的掺杂剂数量是所述底部中的每单位面积的掺杂剂数量的85％至115％。

根据一个或多个实施例的另一个方面，提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：半导体衬底，具有沟槽；绝缘图案，在所述半导体衬底的沟槽中；以及掺杂区域，设置在所述半导体衬底中且在所述绝缘图案上，其中，所述掺杂区域包括：第一区域，与所述绝缘图案接触，并包括掺杂剂和第一辅助元素；以及第二区域，介于所述第一区域和所述半导体衬底之间，并包括所述掺杂剂，以及其中，所述第一区域中的掺杂剂的浓度高于所述第一区域中的第一辅助元素的浓度。

根据一个或多个实施例的又一个方面，提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：衬底，具有彼此相对的第一表面和第二表面，所述衬底具有设置在所述第一表面和所述第二表面之一上的沟槽；光电转换区域，设置在所述衬底的第一表面和第二表面之间；滤色器，设置在所述衬底的第二表面上；围栏图案，设置在所述滤色器之间；微透镜层，设置在所述滤色器上；杂质区域，设置在所述衬底中并与所述衬底的第一表面相邻；互连层，没置在所述衬底的第一表面上，所述互连层包括下部绝缘层和互连结构；绝缘图案，覆盖所述衬底的沟槽；以及掺杂区域，设置在所述衬底中并与所述绝缘图案接触，其中，所述绝缘图案包括倾斜角彼此不同的第一表面和第二表面，所述掺杂区域包括：第一部分，在所述绝缘图案的第一表面上；以及第二部分，在所述绝缘图案的第二表面上，所述掺杂区域的第二部分的厚度为所述掺杂区域的第一部分的厚度的85％至115％，以及所述掺杂区域的第二部分中的每单位面积的掺杂剂数量是第一部分中的每单位面积的掺杂剂数量的85％至115％。

附图说明

图1是根据实施例的图像传感器的像素的电路图。

图2A至图2D是示出根据实施例的制造具有掺杂区域的半导体器件的过程的截面图。

图2E是示出根据实施例的具有掺杂区域的半导体器件的截面图。

图3是示出根据实施例的形成掺杂区域的方法的流程图。

图4A是示出根据实施例的包括掺杂区域的半导体器件的截面图。