[发明专利]图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

半导体衬底，具有表面并包括沟槽，所述沟槽从所述表面延伸到所述半导体衬底中；

绝缘图案，设置在所述沟槽中；以及

掺杂区域，在所述半导体衬底中且在所述绝缘图案上，

其中，所述掺杂区域包括：

侧部，在所述绝缘图案的侧表面上；以及

底部，在所述绝缘图案的底表面上，

其中，所述掺杂区域的侧部的厚度为所述掺杂区域的底部的厚度的85％至115％，以及

所述掺杂区域的侧部中的每单位面积的掺杂剂数量是所述底部中的每单位面积的掺杂剂数量的85％至115％。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述绝缘图案包括元素，以及

所述绝缘图案的所述元素包括与所述掺杂区域中的掺杂剂相同的元素。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述掺杂区域的侧部中的每单位面积的掺杂剂数量在5.0×10¹¹原子/cm²至1.0×10¹⁴原子/cm²的范围内，以及

所述掺杂区域的底部中的每单位面积的掺杂剂数量在5.0×10¹¹原子/cm²至1.0×10¹⁴原子/cm²的范围内。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括栅极图案，所述栅极图案设置在所述沟槽中且在所述绝缘图案上，

其中，所述绝缘图案介于所述栅极图案和所述掺杂区域之间。

5.根据权利要求4所述的图像传感器，还包括设置在所述半导体衬底中的器件隔离图案，

其中，所述栅极图案包括：

竖直部分，设置在所述半导体衬底中且在所述器件隔离图案旁；以及

水平部分，设置在所述半导体衬底中并连接到所述竖直部分，以及

所述水平部分的至少一部分设置在所述器件隔离图案中。

6.根据权利要求5所述的图像传感器，其中，所述掺杂区域的侧部包括：

第一子侧部，在所述栅极图案的竖直部分的侧表面上；以及

第二子侧部，在所述栅极图案的水平部分的侧表面上，

其中，所述掺杂区域的第二子侧部的厚度为所述掺杂区域的第一子侧部的厚度的85％至115％。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：

杂质区域，设置在所述半导体衬底中并与所述半导体衬底的表面相邻；以及

器件隔离图案，设置在所述半导体衬底中且在所述杂质区域一侧，

其中，所述器件隔离图案包括所述绝缘图案。

8.一种图像传感器，包括：

半导体衬底，具有沟槽；

绝缘图案，在所述半导体衬底的沟槽中；以及

掺杂区域，设置在所述半导体衬底中且在所述绝缘图案上，

其中，所述掺杂区域包括：

第一区域，与所述绝缘图案接触，并包括掺杂剂和第一辅助元素；以及

第二区域，介于所述第一区域和所述半导体衬底之间，并包括所述掺杂剂，以及

其中，所述第一区域中的所述掺杂剂的浓度高于所述第一区域中的所述第一辅助元素的浓度。

9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，所述绝缘图案包括预定元素和第二辅助元素，

所述绝缘图案的所述预定元素是与所述掺杂剂相同的元素，以及

所述第二辅助元素是与所述第一辅助元素相同的元素。

10.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，所述第一辅助元素包括氯。

11.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，在所述掺杂区域的第二区域中不存在所述第一辅助元素。