[发明专利]一种耐高输入光功率的硅光芯片端面耦合结构

权利要求书

1.一种耐高输入光功率的硅光芯片端面耦合结构，其特征在于，包括：

端面耦合单元，用于接收自光纤输出的高光功率，并进行模斑转换；

功率分束单元，用于将自身接收的光分束为若干份；

转换单元，用于将光信号从氮化硅波导转换到硅波导；

且所述端面耦合单元与所述功率分束单元的波导由氮化硅形成。

2.根据权利要求1所述的一种耐高输入光功率的硅光芯片端面耦合结构，其特征在于，所述端面耦合单元的波导形状为倒锥形、三叉戟型或者亚波长光栅型。

3.根据权利要求1所述的一种耐高输入光功率的硅光芯片端面耦合结构，其特征在于，所述转换单元包括：氮化硅波导和硅波导，且结构采用基于垂直结构的耦合方式，所述氮化硅波导和所述硅波导均为锥形结构波导，且在垂直方向上有一定的间隔，随着所述氮化硅波导锥形结构逐渐变窄的同时，所述硅波导锥形结构逐渐变宽。

4.根据权利要求3所述的一种耐高输入光功率的硅光芯片端面耦合结构，其特征在于，还包括：第一连接单元，用于将所述端面耦合单元耦合的光信号传输至所述功率分束单元。

5.根据权利要求4所述的一种耐高输入光功率的硅光芯片端面耦合结构，其特征在于，所述第一连接单元的波导由氮化硅形成。

6.根据权利要求5所述的一种耐高输入光功率的硅光芯片端面耦合结构，其特征在于，所述功率分束单元将所述第一连接单元传输的光分成N份，其中1≤N≤50。

7.根据权利要求6所述的一种耐高输入光功率的硅光芯片端面耦合结构，其特征在于，所述功率分束单元的波导结构为多模干涉结构、定向耦合结构或者Y分支结构。

8.根据权利要求7所述的一种耐高输入光功率的硅光芯片端面耦合结构，其特征在于，还包括：第二连接单元，用于将光信号从所述功率分束单元传输至所述转换单元。

9.根据权利要求8所述的一种耐高输入光功率的硅光芯片端面耦合结构，其特征在于，所述第二连接单元的波导由氮化硅形成。

10.根据权利要求9所述的一种耐高输入光功率的硅光芯片端面耦合结构，其特征在于，还包括：第三连接单元，用于将自所述转换单元输出的光信号传输至后续的硅基光器件，所述第三连接单元的波导由硅形成。