[发明专利]半导体封装结构及封装方法

说明书

一种半导体封装结构及封装方法。该半导体封装结构包括：转接板，包括多个金属层和至少一个第一线道，其中，所述至少一个第一线道由所述多个金属层中的至少两个相邻的金属层形成；第一管芯和第二管芯，位于所述转接板上，其中，所述第一管芯包括至少一个第一通道，所述第二管芯包括至少一个第二通道，所述第一管芯中的所述至少一个第一通道与所述第二管芯中的所述至少一个第二通道被配置为通过所述至少一个第一线道对应连接。该半导体封装结构通过转接板中的至少两个相邻的金属层实现第一线道；通过该第一线道可以实现两个管芯之间的高速信号互连，有助于实现更高的带宽和更高的性能。

技术领域

本公开的实施例涉及一种半导体封装结构及封装方法。

背景技术

封装技术伴随集成电路发明应运而生，主要功能是完成电源分配、信号分配、散热和保护。伴随着芯片技术的发展，封装技术不断革新。封装互连密度不断提高，封装厚度不断减小，三维（包括2.5D/3D）封装、系统封装等手段不断演进。随着集成电路应用多元化，智能手机、物联网、汽车电子、高性能计算、5G、人工智能等新兴领域对先进封装提出更高要求，封装技术发展迅速，创新技术不断出现。

发明内容

本公开至少一些实施例提供一种半导体封装结构，该半导体封装结构包括：转接板，包括多个金属层和至少一个第一线道，其中，所述至少一个第一线道由所述多个金属层中的至少两个相邻的金属层形成；第一管芯和第二管芯，位于所述转接板上，其中，所述第一管芯包括至少一个第一通道，所述第二管芯包括至少一个第二通道，所述第一管芯中的所述至少一个第一通道与所述第二管芯中的所述至少一个第二通道被配置为通过所述至少一个第一线道对应连接。

例如，在本公开一些实施例提供的半导体封装结构中，所述多个金属层中的除所述至少两个相邻的金属层之外的金属层位于所述至少两个相邻的金属层的远离所述第一管芯和所述第二管芯的一侧。

例如，在本公开一些实施例提供的半导体封装结构中，所述至少一个第一通道和所述至少一个第二通道均为高速通道，所述至少一个第一线道和所述高速通道均被配置为传输高速信号，所述高速信号的数据传输速率大于或等于5Gbps。

例如，在本公开一些实施例提供的半导体封装结构中，所述至少一个第一线道包括多条第一信号线，所述多条第一信号线在所述转接板所在平面内均匀排布，所述至少一个第一通道与所述至少一个第二通道被配置为通过所述多条第一信号线对应连接。

例如，在本公开一些实施例提供的半导体封装结构中，所述转接板包括多个第一信号凸块和多个第二信号凸块，所述至少一个第一通道通过所述多个第一信号凸块与所述多条第一信号线的第一端连接，所述至少一个第二通道通过所述多个第二信号凸块与所述多条第一信号线的第二端连接，所述多个第一信号凸块的布局和所述多个第二信号凸块的布局相同。

例如，在本公开一些实施例提供的半导体封装结构中，所述至少一个第一线道还包括多条屏蔽线，所述多条第一信号线间插于所述多条屏蔽线中，所述多条屏蔽线和所述多条第一信号线均匀排布且交替排列。

例如，在本公开一些实施例提供的半导体封装结构中，在所述至少一个第一线道中，相邻的第一信号线和屏蔽线之间的节距为P，相邻的第一信号线和屏蔽线之间的间距为S，所述第一信号线的宽度为W1，所述屏蔽线的宽度为W2，P =1/2*W1+S+1/2*W2，W1的取值范围为0.1微米到10 微米，P的取值范围为0.5微米到20微米，且S和P之间的大小关系满足：S大于或等于1/10*P且小于或等于4/5*P。

例如，在本公开一些实施例提供的半导体封装结构中，所述至少一个第一线道包括多个第一线道，所述至少一个第一通道包括多个第一通道，所述至少一个第二通道包括多个第二通道，所述多个第一通道与所述多个第二通道被配置为通过所述多个第一线道一一对应连接。