[发明专利]半导体封装结构及封装方法有效
| 申请号: | 202110796716.7 | 申请日: | 2021-07-14 |
| 公开(公告)号: | CN113257782B | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
| 发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 北京壁仞科技开发有限公司;上海壁仞智能科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522;H01L23/528;H01L25/18;H01L25/065;H01L21/98 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
| 地址: | 100085 北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 封装 结构 方法 | ||
1.一种半导体封装结构,包括:
转接板,包括多个金属层和至少一个第一线道,其中,所述至少一个第一线道由所述多个金属层中的至少两个相邻的金属层形成;
第一管芯和第二管芯,位于所述转接板上,其中,所述第一管芯包括至少一个第一通道,所述第二管芯包括至少一个第二通道,所述第一管芯中的所述至少一个第一通道与所述第二管芯中的所述至少一个第二通道被配置为通过所述至少一个第一线道对应连接;
其中,所述至少一个第一线道包括多条第一信号线和多条屏蔽线,所述多条第一信号线间插于所述多条屏蔽线中,所述多条屏蔽线和所述多条第一信号线均匀排布且交替排列;
在所述至少一个第一线道中,相邻的第一信号线和屏蔽线之间的节距为P,相邻的第一信号线和屏蔽线之间的间距为S,所述第一信号线的宽度为W1,所述屏蔽线的宽度为W2,P =1/2*W1+S+1/2*W2,W1的取值范围为0.1微米到10 微米,P的取值范围为0.5微米到20微米,且S和P之间的大小关系满足:S大于或等于1/10*P且小于或等于4/5*P。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其中,所述多个金属层中的除所述至少两个相邻的金属层之外的金属层位于所述至少两个相邻的金属层的远离所述第一管芯和所述第二管芯的一侧。
3.根据权利要求1或2所述的半导体封装结构,其中,所述至少一个第一通道和所述至少一个第二通道均为高速通道,所述至少一个第一线道和所述高速通道均被配置为传输高速信号,所述高速信号的数据传输速率大于或等于5Gbps。
4.根据权利要求1或2所述的半导体封装结构,其中,所述至少一个第一通道与所述至少一个第二通道被配置为通过所述多条第一信号线对应连接。
5.根据权利要求4所述的半导体封装结构,其中,所述转接板包括多个第一信号凸块和多个第二信号凸块,所述至少一个第一通道通过所述多个第一信号凸块与所述多条第一信号线的第一端连接,所述至少一个第二通道通过所述多个第二信号凸块与所述多条第一信号线的第二端连接,
所述多个第一信号凸块的布局和所述多个第二信号凸块的布局相同。
6.根据权利要求1或2项所述的半导体封装结构,其中,所述至少一个第一线道包括多个第一线道,所述至少一个第一通道包括多个第一通道,所述至少一个第二通道包括多个第二通道,所述多个第一通道与所述多个第二通道被配置为通过所述多个第一线道一一对应连接。
7.根据权利要求6所述的半导体封装结构,其中,所述多个第一线道中的每个第一线道包括多条第一信号线,所述多条第一信号线在所述转接板所在平面内均匀排布,所述多个第一通道中的一个第一通道与所述多个第二通道中的一个第二通道被配置为通过对应的一个第一线道中的所述多条第一信号线对应连接。
8.根据权利要求7所述的半导体封装结构,其中,所述一个第一通道通过所述转接板上的多个第一信号凸块与所述多条第一信号线的第一端连接,所述一个第二通道通过所述转接板上的多个第二信号凸块与所述多条第一信号线的第二端连接,
所述多个第一信号凸块的布局和所述多个第二信号凸块的布局相同。
9.根据权利要求8所述的半导体封装结构,其中,不同的第一线道的布局均相同,不同的第一线道对应的多个第一信号凸块的布局均相同,不同的第一线道对应的多个第二信号凸块的布局均相同。
10.根据权利要求6所述的半导体封装结构,其中,所述转接板还包括与所述多个第一线道同层设置的第二线道,
所述第二线道位于所述多个第一线道中的任意一个第一线道的一侧。
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