[发明专利]一种无镉量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本发明涉及一种无镉量子点发光器件，其特征在于，包括：第一电极、第二电极、设置在所述第一电极和第二电极之间的发光层以及配体液膜层，所述发光层包括无镉量子点发光层，所述配体液膜层设置于所述无镉量子点发光层上，所述配体液膜层通过喷雾法将短链无机配体雾滴沉积在无镉量子点发光层薄膜上进行原位配体交换形成，有效提高了器件发光效率和亮度，改善了器件的稳定性。

技术领域

本发明涉及一种量子点发光二极管及其制备方法，特别是涉及一种基于无镉量子点的发光二极管及其制备方法。

背景技术

量子点作为一种可溶液加工的半导体纳米材料，常用于发光二极管中，因其能够呈现高的发光亮度和发光效率、广色域、长寿命等优势，在新型显示领域受到了广泛的关注，具有巨大的发展和应用前景。

含镉量子点是常用的量子点材料，然而含有常规量子点材料，因镉对于人类和环境的危害，限制了其应用，近年来众多研究者在追求无镉量子点。无镉量子点材料也有多种，其中磷化铟(InP)量子点是一种环境友好的无镉量子点材料，但InP无镉量子点的发光二极管仍存在效率低下，稳定性较差等问题，造成上述问题的原因主要在于：在InP量子点表面的绝缘配体(油酸、油胺等)阻碍了发光二极管中电荷的有效注入，导致电子和空穴的辐射复合效率低下，从而影响了InP量子点发光二极管的整体器件性能。目前，解决上述问题的手段主要是通过溶液配体交换手段，将InP量子点表面的绝缘配体进行置换，但是这种方式极易造成量子点荧光效率和稳定性降低。因此，如何更有效地提高InP量子点发光二极管的器件性能仍然是需要亟待解决的技术问题。

发明内容

为了解决现有技术问题，本发明的目的在于克服已有技术存在的不足，提供一种无镉量子点发光器件及其制备方法，通过喷雾法将短链无机配体雾滴沉积在无镉量子点薄膜上进行原位配体交换，有效提高了器件发光效率和亮度，改善了器件的稳定性。

本发明涉及一种无镉量子点发光器件，包括：第一电极、第二电极、设置在第一电极和第二电极之间的发光层以及配体液膜层，发光层包括无镉量子点发光层，所述配体液膜层设置于所述无镉量子点发光层上。本申请实施例中，使得无镉量子点发光层与配体液膜层紧邻，使得无镉量子点发光层与配体液膜层进行置换。

进一步地，配体液膜层通过喷雾法将短链无机配体雾滴沉积在无镉量子点发光层薄膜上进行原位配体交换形成，通过此种方法可以有效避免在InP量子点表面的绝缘配体(油酸、油胺等)阻碍发光二极管中电荷的有效注入，提高了电子和空穴的辐射复合效率，且喷涂法制备的配体液膜层对无镉量子点发光层的冲击力极小，不会对无镉量子点产生破坏，利于无镉量子点的稳定性提高，且保证荧光性能。