[发明专利]一种无镉量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种无镉量子点发光器件，其特征在于，包括：第一电极、第二电极、设置在所述第一电极和第二电极之间的发光层以及配体液膜层，所述发光层包括无镉量子点发光层，所述配体液膜层设置于所述无镉量子点发光层上。

2.根据权利要求1所述的一种无镉量子点发光器件，其特征在于：所述配体液膜层通过喷雾法将无机配体雾滴沉积在无镉量子点发光层上并进行原位配体交换形成。

3.根据权利要求1所述的一种无镉量子点发光器件，其特征在于：所述无镉量子点发光层包括无镉发光量子点，所述无镉发光量子点选自InP、InP/ZnSe、InP/ZnS、InP/ZnSeS、InP/ZnSe/ZnS、InP/ZnSe/ZnSeS、InP/ZnSeS/ZnS、InP/ZnSe/ZnSeS/ZnS、CuInS₂、CuInS₂/ZnSe、CuInS₂/ZnS、CuInS₂/ZnSeS、CuInS₂/ZnSe/ZnS、CuInS₂/ZnSe/ZnSeS、CuInS₂/ZnSeS/ZnS、CuInS₂/ZnSe/ZnSeS/ZnS、CH₃NH₃PbCl₃、CH₃NH₃Br₃、CH₃NH₃PbI₃、CH(NH₂)₂PbCl₃、CH(NH₂)₂PbBr₃、CH(NH₂)₂PbI₃、CsPbCl₃、CsPbBr₃或CsPbI₃中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的一种无镉量子点发光器件，其特征在于：所述配体液膜层的配体的阴离子选自硫族离子、氮族离子和卤素的一种，所述阳离子为金属阳离子；优选地，所述配体选自ZnCl₂、NaCl、KCl、LiCl、RbCl、CsCl、ZnBr₂、NaBr、KBr、LiBr、RbBr、CsBr、ZnI₂、NaI、KI、LiI、RbI、CsI、Li₂S、Na₂S、K₂S、Li₂Se、Na₂Se、K₂Se、Li₂Te、Na₂Te、K₂Te、Li₂SnS₄、Na₂SnS₄、K₂SnS₄、Li₂SnSe₄、Na₂SnSe₄、K₂SnSe₄、Li₂SnTe₄、Na₂SnTe₄或K₂SnTe₄中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的一种无镉量子点发光器件，其特征在于：第一电极和发光层之间还设置有空穴注入层和空穴传输层，所述空穴注入层位于所述第一电极层和所述空穴传输层之间。

6.根据权利要求5所述的一种无镉量子点发光器件，其特征在于：所述配体液膜层设置于所述空穴传输层和所述发光层之间。

7.根据权利要求1所述的一种无镉量子点发光器件，其特征在于：所述第二电极和发光层之间还设置有电子传输层。