[发明专利]一种氢终端金刚石隧穿欧姆接触电阻的制备方法

权利要求书

1.一种氢终端金刚石隧穿欧姆接触电阻的制备方法，其特征在于，包括：

选择CVD外延的氢终端金刚石作为衬底；

将所述衬底依次在丙酮、酒精、去离子水中进行清洗；

将清洗完成的衬底进行氢等离子体表面处理，形成氢终端金刚石；

在所述氢终端金刚石上沉积一层0.5-1.0nm的高功函数介质，以使所述高功函数介质在所述氢终端金刚石表面形成高浓度空穴层；

在沉积高功函数介质的氢终端金刚石表面沉积一层金属层，以使所述金属层、高浓度空穴层与氢终端金刚石形成低欧姆接触电阻；

对沉积后的氢终端金刚石进行退火处理。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底的厚度为0.3-1.0mm，将所述衬底进行清洗的时间为5-30min。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述将清洗完成的衬底进行氢等离子体表面处理，形成氢终端金刚石包括：

将将清洗完成的衬底置于微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)系统中，进行氢等离子体表面处理，形成氢终端金刚石。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，对衬底进行氢等离子体表面处理时，所述微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)系统的氢气流量为200～1000sccm，温度为600-900℃，压强为50-200mbar，微波功率为1000-3000W，处理时间为10-30min，甲烷浓度为0.1％-1％。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述高功函数介质为M_oO₃、WO₃或V₂O₅。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在沉积高功函数介质的氢终端金刚石表面沉积一层金属层包括：

在沉积高功函数介质的氢终端金刚石表面沉积一层，厚度为20-100nm的Au层。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对沉积后的氢终端金刚石进行退火处理包括：

对沉积后的氢终端金刚石在快速热退火设备中退火2-10min，完成欧姆接触电阻的制备，其中，退火温度为300-700℃。