[发明专利]N型TOPCon太阳能电池的制作方法在审
| 申请号： | 202110785634.2 | 申请日： | 2021-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN113571411A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 袁玲;王芹芹;瞿辉;曹玉甲 | 申请（专利权）人： | 江苏顺风新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01L21/311;H01L31/20;H01L21/67 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 朱晓凯 |
| 地址： | 213123 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | topcon 太阳能电池 制作方法 | ||
1.一种N型TOPCon太阳能电池的制作方法，其特征在于包括如下步骤：
(a)、双面制绒
(b)、单面硼扩散：利用低压扩散炉，双片合并插入水平舟的石英舟齿中，源量为：60sccm-150sccm，使用BCl3：O2：N2＝1:5-15:20-40的流量比例在低压下进行分步递温式沉积扩散；而后降温至700℃-800℃，降温20min-50min，在降温的过程中通入2L-20L氧气进行氧化，控制氧化层BSG厚度在20nm-50nm；
(c)、背面酸刻蚀；
(d)、本征多晶硅；
(e)、双面磷掺杂；
(f)、去除正面PSG及本征多晶硅；
(g)、去除背面PSG及正面BSG；
(h)、钝化；
(i)、双面印刷。
2.根据权利要求1所述的N型TOPCon太阳能电池的制作方法，其特征在于：步骤(b)中所述分步递温式沉积扩散具体为：第一步,在低压下先在温度840-850℃进行沉积，时间3-8min，再升高温度至860-880℃，在氮气保护下进行高温推进8-12min；第二步，在低压下先在温度860-880℃进行沉积，时间为6-10min，随后升温至890-910℃同样在氮气保护下进行高温推进8-12min；第三步，在低压下，再使用960℃进行高温推进8-12min。
3.根据权利要求2所述的N型TOPCon太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述第一步升温推进的温度与第二步沉积的温度相同。
4.根据权利要求1或2所述的N型TOPCon太阳能电池的制作方法，其特征在于：步骤(b)中所述的低压是指真空压力为390-410mbar。
5.根据权利要求1所述的N型TOPCon太阳能电池的制作方法，其特征在于：步骤(f)中去除正面PSG具体为：配比清洗液，使清洗液中氟化铵与氟化氢的浓度比为5-30：1，使用链式清洗机去除正面的PSG。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
