[发明专利]一种高纯钌粉的制备方法在审

专利信息
申请号: 202110784103.1 申请日: 2021-07-12
公开(公告)号: CN113458407A 公开(公告)日: 2021-10-01
发明(设计)人: 庞帅;王志 申请(专利权)人: 安徽拓思贵金属有限公司
主分类号: B22F9/22 分类号: B22F9/22;B22F1/00;C23G1/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 239500 安徽省滁州市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 高纯 制备 方法
【说明书】:

本发明公开了一种高纯钌粉的制备方法,包括以下步骤:(1)氧化蒸馏:以纯度<99.9%粗钌粉为原料,将其放入三口瓶中,溶解于饱和氢氧化钠溶液内,在碱性条件下通入氯气氧化。本发明在蒸馏后,通过阳离子交换可以除掉阳离子杂质,煅烧工艺时加入尿素作为沉淀引发剂,通过控制合适的条件,使尿素均匀分解释放出氢氧根离子,发生沉淀反应,从而达到控制粒子生长速度、微观形貌、粒度的目的使得钌粉粒度形貌均匀,提升了钌粉质量,并且本发明增设了干燥雾化工艺,使得所得钌粉为球形,进一步提升粒径的均匀度,本钌粉在经过煅烧及氢气还原后,增设了混酸煮洗工艺,通过王水+氢氟酸混合溶液煮洗,使得得到的钌粉振实密度更大,利用率更高。

技术领域

本发明涉及贵金属粉末制备技术领域,具体为一种高纯钌粉的制备方法。

背景技术

高新技术的飞速发展,对钌(Ru)及Ru基合金材料的性能提出推来越 高的要求。钌粉的制备是发展钌工业技术的首要环节,满足一些特殊用途 的高纯球形钌粉制备技术还存在问题。纯钌和钌基合金材料在电子产品的制造中作为靶材被广泛应用,而靶材通常要求材料自身杂质含量低、组织成分和晶粒尺寸均匀且致密度高。

授权公告号为CN110919019A的中国发明专利公开了一种一种高纯钌粉的制备方法,该方法包括以下步骤:(1)在碱性条件下通入氯气氧化,氧化蒸馏;(2)NH4Cl沉淀,得到氯钌酸铵粉沉淀;(3)高压水热还原,得到纯钌和钌的氧化物;(4)氢气热还原,获得高纯微米级钌粉产品。优点在于:工艺流程简单,易于实施,钌粉的纯度大于99.999%,流散性好,粒径2~20μm。该发明虽然通过氧化蒸馏、高压水热还原等工艺保证了钌粉制备的纯度。但是在沉淀之前得到的蒸馏氯钌酸溶液容易产生杂质,同时在煅烧还原工艺中产生的钌粉力度形貌不均匀,影响最终钌粉的质量。

授权公告号为CN103223493A的中国发明专利公开了一种一种高纯钌粉的制备方法,包括以下步骤:①溶解、②沉淀、③离心过滤、④烘干、⑤破碎、⑥煅烧、⑦还原、⑧制粉。本发明通过氯气进行氧化反应将溶液中钌氧化为氯钌酸,同时控制钌的浓度在45~55g/L,盐酸浓度控制在8~12mol/L,氧化温度控制在90~100℃及搅拌速度为60~90转/分,在这条件下可以使溶液中氯钌酸铵99.9%都能沉淀出来。实现了氯钌酸铵与杂质分离,提高了氯钌酸铵的纯度。但是这种方法在破碎工艺中还是容易产生杂质,致使最后得到的钌粉纯度下降。

授权公告号为CN1926252A公布了一种高纯度Ru粉末的制备方法,制备的钌粉Na、K等各碱金属的含量均在10ppm以下,Al的含量为1~50ppm,方法是用纯度在3N(99.9%)以下的Ru原料作阳极,在溶液中电解精制,可以制备4N(99.99%)以上的纯钌粉,适合形成半导体存储器的电容器用电极材料。此方法只适用于粗钌粉的电解提纯,目的主要是去除Na、K和Al杂质,不能改变钌粉的粒度和形貌,是的钌粉粒度形貌不均匀,影响钌粉的质量。 授权公告号为CN101289229A公开了一种六氯钌酸铵和钌粉的制造方法以及六氯钌酸铵,其课题在于对在钌的盐酸溶液中添加氯化铵而制成的六氯钌酸铵进行烧成来制造钌粉末时,使含水率降低至在粉碎性上没有问题的程度。本发明在80~95℃下保持钌的盐酸溶液3小时以上后,一边使搅拌机的转数达到每分钟200转以上进行搅拌一边加入氯化铵,一边在85~95℃下搅拌1小时以上一边保持,生成六氯钌酸铵的沉淀,通过过滤得到含水率是10%以下的六氯钌酸铵的结晶物。由这种方法制备得到粉末的振实密度小,达不到靶用钌粉的要求。

为此我们提出一种高纯钌粉的制备方法用于解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高纯钌粉的制备方法,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种高纯钌粉的制备方法,包括以下步骤:

(1)氧化蒸馏:以纯度<99.9%粗钌粉为原料,将其放入三口瓶中,溶解于饱和氢氧化钠溶液内,在碱性条件下通入氯气氧化,氧化产物四氧化钌用浓盐酸吸收液进行吸收,得到氯钌酸溶液;

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