[发明专利]PERC电池的背面膜层的制作方法和PERC电池

说明书

本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种PERC电池的背面膜层的制作方法和PERC电池。PERC电池的背面膜层的制作方法包括：在待沉积背面膜层的电池基片上沉积氧化铝层，氧化铝层的厚度小于5nm；在沉积了氧化铝层的电池基片上沉积氮氧化硅层；在沉积了氮氧化硅层的电池基片上沉积氮化硅层和氧化硅层。如此，使得TMA耗量低，对背膜后的激光开槽工艺要求较低，背面电路与硅基体的接触电阻较低，PERC电池的光电转换效率高。

技术领域

本申请属于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种PERC电池的背面膜层的制作方法和PERC电池。

背景技术

相关技术的PERC电池的背面膜层中，氧化铝层通常较厚，导致TMA耗量大，成本高，背面电路与硅基体的欧姆接触较差，对背膜后的激光开槽工艺要求较高。基于此，如何设计PERC电池的背面膜层以降低成本并提高电池品质，成为了亟待解决的问题。

发明内容

本申请提供一种PERC电池的背面膜层的制作方法和PERC电池，旨在解决如何设计PERC电池的背面膜层以降低成本并提高电池品质的问题。

第一方面，本申请提供的PERC电池的背面膜层的制作方法，包括：

在待沉积背面膜层的电池基片上沉积氧化铝层，所述氧化铝层的厚度小于5nm；

在沉积了所述氧化铝层的电池基片上沉积氮氧化硅层；

在沉积了所述氮氧化硅层的电池基片上沉积氮化硅层和氧化硅层。

可选地，在待沉积背面膜层的电池基片上沉积氧化铝层，包括：

在管式PECVD中通入笑气和TMA，以形成所述氧化铝层；

在沉积了所述氧化铝层的电池基片上沉积氮氧化硅层，包括：

在所述管式PECVD中通入笑气和氨气，以形成所述氮氧化硅层；

在沉积了所述氮氧化硅层的电池基片上沉积氮化硅层和氧化硅层，包括：

在所述管式PECVD中通入氨气和硅烷，以形成所述氮化硅层；

在所述管式PECVD中通入笑气和硅烷，以形成所述氧化硅层。

可选地，在所述在管式PECVD中通入笑气和TMA以形成所述氧化铝层的步骤中，所述笑气的流量的范围为1slm-20slm，所述TMA的流量的范围为5sccm-300sccm，所述管式PECVD的功率的范围为1000w-10000w，沉积时长的范围为5s-100s，压力的范围为100-10000mTor。

可选地，在所述在所述管式PECVD中通入笑气和氨气以形成所述氮氧化硅层的步骤中，笑气的流量的范围为1slm-20slm，氨气的流量的范围为1slm-20slm，沉积时长的范围为5s-500s。

可选地，在所述在所述管式PECVD中通入氨气和硅烷以形成所述氮化硅层的步骤中，氨气的流量的范围为1slm-20slm，硅烷的流量的范围为100sccm-5000sccm，沉积时长的范围为5s-500s。

可选地，在所述在所述管式PECVD中通入笑气和硅烷以形成所述氧化硅层的步骤中，笑气的流量的范围为2slm-20slm，硅烷的流量的范围为100sccm-5000sccm，沉积时长的范围为20s-500s。

可选地，在沉积了所述氮氧化硅层的电池基片上沉积氮化硅层和氧化硅层，包括：

在沉积了所述氮氧化硅层的电池基片上沉积所述氮化硅层；

在沉积了所述氮化硅层的电池基片上沉积所述氧化硅层。

可选地，在沉积了所述氮氧化硅层的电池基片上沉积氮化硅层和氧化硅层，包括：