[发明专利]PERC电池的背面膜层的制作方法和PERC电池

权利要求书

1.一种PERC电池的背面膜层的制作方法，其特征在于，包括：

在待沉积背面膜层的电池基片上沉积氧化铝层，所述氧化铝层的厚度小于5nm；

在沉积了所述氧化铝层的电池基片上沉积氮氧化硅层；

在沉积了所述氮氧化硅层的电池基片上沉积氮化硅层和氧化硅层。

2.根据权利要求1所述的PERC电池的背面膜层的制作方法，其特征在于，在待沉积背面膜层的电池基片上沉积氧化铝层，包括：

在管式PECVD中通入笑气和TMA，以形成所述氧化铝层；

在沉积了所述氧化铝层的电池基片上沉积氮氧化硅层，包括：

在所述管式PECVD中通入笑气和氨气，以形成所述氮氧化硅层；

在沉积了所述氮氧化硅层的电池基片上沉积氮化硅层和氧化硅层，包括：

在所述管式PECVD中通入氨气和硅烷，以形成所述氮化硅层；

在所述管式PECVD中通入笑气和硅烷，以形成所述氧化硅层。

3.根据权利要求2所述的PERC电池的背面膜层的制作方法，其特征在于，在所述在管式PECVD中通入笑气和TMA以形成所述氧化铝层的步骤中，所述笑气的流量的范围为1slm-20slm，所述TMA的流量的范围为5sccm-300sccm，所述管式PECVD的功率的范围为1000w-10000w，沉积时长的范围为5s-100s，压力的范围为100-10000mTor。

4.根据权利要求2所述的PERC电池的背面膜层的制作方法，其特征在于，在所述在所述管式PECVD中通入笑气和氨气以形成所述氮氧化硅层的步骤中，笑气的流量的范围为1slm-20slm，氨气的流量的范围为1slm-20slm，沉积时长的范围为5s-500s。

5.根据权利要求2所述的PERC电池的背面膜层的制作方法，其特征在于，在所述在所述管式PECVD中通入氨气和硅烷以形成所述氮化硅层的步骤中，氨气的流量的范围为1slm-20slm，硅烷的流量的范围为100sccm-5000sccm，沉积时长的范围为5s-500s。

6.根据权利要求2所述的PERC电池的背面膜层的制作方法，其特征在于，在所述在所述管式PECVD中通入笑气和硅烷以形成所述氧化硅层的步骤中，笑气的流量的范围为2slm-20slm，硅烷的流量的范围为100sccm-5000sccm，沉积时长的范围为20s-500s。

7.根据权利要求1所述的PERC电池的背面膜层的制作方法，其特征在于，在沉积了所述氮氧化硅层的电池基片上沉积氮化硅层和氧化硅层，包括：

在沉积了所述氮氧化硅层的电池基片上沉积所述氮化硅层；

在沉积了所述氮化硅层的电池基片上沉积所述氧化硅层。

8.根据权利要求1所述的PERC电池的背面膜层的制作方法，其特征在于，在沉积了所述氮氧化硅层的电池基片上沉积氮化硅层和氧化硅层，包括：

在沉积了所述氮氧化硅层的电池基片上沉积所述氧化硅层；

在沉积了所述氧化硅层的电池基片上沉积所述氮化硅层。

9.一种PERC电池，其特征在于，包括电池基片和设于所述电池基片的背面膜层，所述背面膜层包括氧化铝层、氮氧化硅层、氮化硅层和氧化硅层，所述氧化铝层的厚度小于5nm。

10.一种PERC电池，其特征在于，包括电池基片和设置在电池基片的背面膜层，所述背面膜层采用权利要求1-8任一项所述的方法制作得到。