[发明专利]半导体结构的强度测试方法

权利要求书

1.一种半导体结构的强度测试方法，其特征在于，包括：

提供待测半导体结构；

截取所述待测半导体结构中的目标区域，获得待测结构；

确定所述待测结构中目标结构的所在位置；其中，所述目标结构位于所述目标区域内；

在所述目标结构的所在位置对所述待测结构施加载荷，测量所述待测结构中所述目标结构所在位置的机械强度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待测结构包括衬底和位于所述衬底上的结构层，所述结构层中具有所述目标结构，所述方法还包括：

在获得所述待测结构后，将所述待测结构包括的所述衬底减薄至预设厚度。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预设厚度范围为：50μm至250μm。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述将所述待测结构的所述衬底减薄至预设厚度后，抛光所述待测结构的侧面；其中，所述侧面垂直于所述衬底。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述截取所述待测半导体结构中的目标区域，包括：

通过切割所述半导体结构，获取所述半导体结构中所述目标区域的部分。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标结构包括3D NAND存储器中以下结构的至少之一：

栅极叠层；

沟道孔；

台阶结构。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述目标结构的所在位置对所述待测结构施加载荷，测量所述待测结构中所述目标结构所在位置的机械强度，包括：

对所述待测结构施加逐渐增大的载荷，确定所述待测结构被破坏时所施加的载荷值。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法包括：采用三点弯曲试验测量所述待测结构的抗弯强度。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述待测结构包括衬底和位于所述衬底上的结构层，所述结构层中具有所述目标结构；

所述对所述待测结构施加载荷，包括：从所述衬底相对远离所述结构层的表面施加载荷。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述对所述待测结构施加逐渐增大的载荷，确定所述待测结构被破坏时所施加的载荷值，包括：

对所述待测结构施加以恒定速率增加的载荷，并测量所述待测结构的挠度变化，获得所述载荷与所述挠度的对应关系变化曲线；

通过所述曲线上的突变点确定所述待测结构被破坏时的载荷值。