[发明专利]获得N型硅片厚度和测试寿命与体寿命间对应关系的方法

说明书

本发明涉及一种获得N型硅片厚度和测试寿命与体寿命间对应关系的方法，本发明有效解决现有技术手段在针对厚度较小硅片进行寿命测量时所测得的寿命与其真实体寿命偏差较大的问题；解决的技术方案包括：本发明通过试验N型硅片测试寿命、样品厚度与体寿命之间对应关系进而得出测试寿命、样品厚度与体寿命之间的对应关系式，通过本方案，可以通过测量任一厚度的硅片的测试寿命，进而精准的推算出样品的体寿命，从而实现了更好的管控硅抛光片少子寿命的效果。

技术领域

本发明属于硅片检测技术领域，具体涉及一种获得N型硅片厚度和测试寿命与体寿命间对应关系的方法。

背景技术

少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性,能够准确的得到这个参数，对于半导体器件制造具有重要意义；

微波光电导衰退法是测量半导体材料的一种标准方法，微波光电导衰退法(Microwave photoconductivity decay)测试少子寿命，主要包括激光注入产生电子-空穴对和微波探测信号的变化这两个过程，904nm的激光注入(对于硅，注入深度大约为30um)产生电子-空穴对，导致样品电导率的增加，当撤去外界光注入时，电导率随时间指数衰减，这一趋势间接反映少数载流子的衰减趋势，从而通过微波探测电导率随时间变化的趋势就可以得到少数载流子的测试寿命；

但是现有在测试不同厚度的硅片样品时，往往出现测试寿命的值与硅片样品的真实体寿命的值偏差较大，即，针对不同厚度的硅片样品进行测试时，通过现有技术手段测量得到的测试寿命而无法精准的推算出其真实体寿命；

鉴于以上，我们提供一种获得N型硅片厚度和测试寿命与体寿命间对应关系的方法用于解决上述问题。

发明内容

针对上述情况，为克服现有技术之缺陷，本发明提获得N型硅片厚度和测试寿命与体寿命间对应关系的方法，该方法得出了针对不同厚度硅片在获知其体寿命的过程中通过本方案得出的测试寿命、样品厚度与体寿命之间的对应关系可精准的推算出在任意厚度的硅片样品的体寿命，从而能够更好的管控硅片的少子寿命。

获得N型硅片厚度和测试寿命与体寿命间对应关系的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：在N型单晶硅棒的一端用内圆切断机连续取样，切割成厚度不同的硅片，厚度在0.8-2.8mm不等，共20个试验片：

S2：将这20片硅片经过碱腐蚀，纯水清洗10分钟，再混合酸腐蚀成镜面，腐蚀厚度大于200μm，再纯水冲洗10分钟；

S3：将这20硅片从纯水槽中拿出用氮气吹干水渍，再测量厚度，用聚丙烯袋装好；

S4：将这20片硅片用2.5～5％碘酒钝化后分别测量相应硅片的少子寿命；

S5：根据测试寿命及样品厚度的测试数据，利用数学统计工具，回归分析出厚度和测试寿命与体寿命的对应关系。

优选的，所述S5中样品厚度、测试寿命与体寿命之间的对应关系为：

1)d≥2.5mm时，

τ_bulk＝τ_meas 公式(1)

2)当d＜2.5mm时，

τ_bulk＝τ_meas+Y，而Y可以通过d推算，其计算公式如下：

Y＝51.96+522.6X 公式(2)

X＝2.5-d

其中：Y表示补偿寿命，d为样品厚度，X表示样品厚度与2.5mm的差值；