[发明专利]获得N型硅片厚度和测试寿命与体寿命间对应关系的方法

权利要求书

1.获得N型硅片厚度和测试寿命与体寿命间对应关系的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：在N型单晶硅棒的一端用内圆切断机连续取样，切割成厚度不同的硅片，厚度在0.8-2.8mm不等，共20个试验片：

S2：将这20片硅片经过碱腐蚀，纯水清洗10分钟，再混合酸腐蚀成镜面，腐蚀厚度大于200μm，再纯水冲洗10分钟；

S3：将这20硅片从纯水槽中拿出用氮气吹干水渍，再测量厚度，用聚丙烯袋装好；

S4：将这20片硅片用2.5～5%碘酒钝化后分别测量相应硅片的少子寿命；

S5：根据测试寿命及样品厚度的测试数据，利用数学统计工具，回归分析出厚度和测试寿命与体寿命的对应关系；

所述步骤S5中样品厚度、测试寿命与体寿命之间的对应关系为：

d≥2.5mm时，

τ_bulk=τ_meas 公式（1）

当d＜2.5mm时，

τ_bulk=τ_meas+Y，而Y通过d推算，其计算公式如下：

Y=51.96+522.6X 公式（2）

X=2.5-d

其中：Y表示补偿寿命，d为样品厚度，X表示样品厚度与2.5mm的差值；

τ_bulk=τ_meas+51.96+522.6(2.5-d) 公式（3）

其中：τ_bulk表示体寿命，τ_meas表示测试寿命，d表示样品厚度。

2.根据权利要求1所述的获得N型硅片厚度和测试寿命与体寿命间对应关系的方法，其特征在于，所述步骤S1中的N型单晶硅棒电阻率＞1Ω.cm，长200～300mm。

3.根据权利要求1所述的获得N型硅片厚度和测试寿命与体寿命间对应关系的方法，其特征在于，所述步骤S4中不同硅片的测试寿命经少子寿命测试仪测试得到。