[发明专利]微LED芯片及其封装方法、电子装置

说明书

本发明提供微LED芯片、电子装置及其封装方法，封装方法包括：提供第一衬底，所述第一衬底上设有若干微LED芯片结构，任意相邻的微LED芯片结构之间间隔第一间距；提供第二衬底，所述第二衬底一侧的表面上设有结合层；键合若干微LED芯片结构和所述结合层；激光照射第一衬底，转移若干微LED芯片结构至所述结合层远离所述第二衬底一侧的表面，所述结合层上的任意相邻的微LED芯片结构之间间隔第二间距，且所述第二间距大于所述第一间距；以及于所述第二衬底上形成扩展电极，所述扩展电极连接于所述微LED芯片结构的器件电极。

技术领域

本发明涉及半导体器件制作技术领域，尤其涉及一种微LED芯片、电子装置及其封装方法。

背景技术

LED(Light-Emitting Diode，发光二极管)芯片作为半导体照明的核心元器件，保证其基本的光电性能和外观要求是后续加工的基础，在LED芯片的生产加工完成后，需要对芯片进行光电性能测试，以便根据其光电参数对LED芯片进行等级分类。

在现有LED芯片中，一般用自动测试机进行测试，但是现有技术中的点测技术通常适用于普通尺寸的LED芯片。随着LED的发展，MiniLED和MicroLED作为新一代显示技术，通过将LED芯片微小化使用，作为显示面板使用。以尺寸小于100μm的MicroLED为例，由于MicroLED电极尺寸变小和正负电极之间距离变小，导致现有技术中的电性测试的探针设备难以完成MicroLED微器件光电测试。此外，目前的非接触式测试手段光致发光检测和光学检测还无法替代电性测试的测试内容。

另外，现有的正装结构微LED芯片的正负极通过金线引线键合焊接在支架的正负极上形成正装封装结构；而，垂直结构的微LED芯片的封装，将垂直结构的微LED芯片的正极通过金线引线键合焊接在支架的正极上，负极是通过金球共晶键合在支架的负极上。由于采用金线引线工艺容易存在虚焊导致接触不良。

因此，需要提出一种微LED芯片结构及其制作方法，避免采用金线引线键合工艺，克服现有的微LED芯片结构封装难度大、光电检测困难的问题。

发明内容

为解决上述问题，本发明技术方案提供了一种封装方法，适用于微LED芯片封装，所述封装方法包括：

提供第一衬底，所述第一衬底上设有若干微LED芯片结构，任意相邻的微LED芯片结构之间间隔第一间距；

提供第二衬底，所述第二衬底一侧的表面上设有结合层；

键合若干微LED芯片结构和所述结合层；

激光照射第一衬底，转移若干微LED芯片结构至所述结合层远离所述第二衬底一侧的表面，所述结合层上的任意相邻的微LED芯片结构之间间隔第二间距，且所述第二间距大于所述第一间距；以及

于所述第二衬底上形成扩展电极，所述扩展电极连接于所述微LED芯片结构的器件电极。

作为可选的技术方案，所述结合层整面设置于所述第二衬底一侧的表面；或者，所述结合层包括若干结合单元，任意相邻的结合单元之间间隔所述第二间距。

作为可选的技术方案，所述结合层为选自环氧树脂黏胶、聚酰亚胺黏胶或者苯并环丁烯黏胶。

作为可选的技术方案，激光照射第一衬底，转移若干微LED芯片至所述结合层远离所述第二衬底一侧的表面的步骤包括：

若干微LED芯片结构包括多个第一微LED芯片结构；

激光照射所述第一衬底上每个第一微LED芯片结构，分离每个第一微LED芯片结构和所述第一衬底，每个第一微LED芯片结构转移至所述第二衬底的所述结合层上，任意相邻的第一微LED芯片结构之间间隔所述第二间距。

作为可选的技术方案，于所述第二衬底上形成扩展电极的步骤包括：