[发明专利]微LED芯片及其封装方法、电子装置

权利要求书

1.一种封装方法，适用于微LED芯片封装，其特征在于，所述封装方法包括：

提供第一衬底，所述第一衬底上设有若干微LED芯片结构，任意相邻的微LED芯片结构之间间隔第一间距；提供第二衬底，所述第二衬底一侧的表面上设有结合层；

键合若干微LED芯片结构中的多个第一微LED芯片结构和所述结合层；

激光照射第一衬底，转移所述多个第一微LED芯片结构至所述结合层远离所述第二衬底一侧的表面，所述结合层上的任意相邻的第一微LED芯片结构之间间隔第二间距，且所述第二间距大于所述第一间距；以及

于所述第二衬底上形成扩展电极，所述扩展电极连接于所述微LED芯片结构的器件电极；

其中，所述多个第一微LED芯片结构是指所述若干微LED芯片结构中第一次转移到所述结合层上的部分微LED芯片结构；

激光照射第一衬底，转移所述多个第一微LED芯片结构至所述结合层远离所述第二衬底一侧的表面的步骤包括：

提供辅助衬底，所述辅助衬底一侧的表面设有接收层；

键合所述若干微LED芯片结构和所述接收层；

激光照射所述第一衬底，分离所述若干微LED芯片结构中的所述多个第一微LED芯片结构和所述第一衬底，转移所述多个第一微LED芯片结构至所述接收层上；

键合所述多个第一微LED芯片结构和所述结合层；

激光照射所述辅助衬底，分离所述多个第一微LED芯片结构和所述辅助衬底，转移所述多个第一微LED芯片结构至所述结合层远离所述第二衬底一侧；

于所述第二衬底上形成扩展电极的步骤包括：

形成平坦层覆盖所述结合层远离所述第二衬底一侧的表面上每个第一微LED芯片结构；

图案化所述平坦层，以使每个第一微LED芯片结构的器件电极和发光区域露出；

形成第一导电层于所述平坦层远离所述结合层的一侧，所述第一导电层覆盖每个第一微LED芯片结构的器件电极；以及

图案化所述第一导电层，形成多个扩展电极，每个扩展电极连接于对应的每个第一微LED芯片结构的器件电极。

2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述结合层整面设置于所述第二衬底一侧的表面；或者，所述结合层包括若干结合单元，任意相邻的结合单元之间间隔所述第二间距。

3.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述结合层为选自环氧树脂黏胶、聚酰亚胺黏胶或者苯并环丁烯黏胶。

4.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，图案化所述平坦层，以使每个第一微LED芯片结构的器件电极露出的步骤包括：

减薄所述平坦层远离所述结合层的一侧，以使每个第一微LED芯片结构的器件电极和发光区域露出；或者，蚀刻所述平坦层，形成多个开口，每个第一微LED芯片结构的器件电极和发光区域与对应的开口相对。

5.根据权利要求4所述的封装方法，其特征在于，每一第一微LED芯片结构的器件电极包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极位于所述第二衬底的同一侧；所述发光区域位于所述第一电极和所述第二电极之间；每一扩展电极包括第一扩展电极和第二扩展电极，所述第一电极连接所述第一扩展电极，所述第二电极连接于所述第二扩展电极。

6.根据权利要求5所述的封装方法，其特征在于，还包括：

形成反射层于所述发光区域的出光面上，所述出光面远离所述第二衬底且平行于所述第二衬底。

7.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，每一第一微LED芯片结构的器件电极包括第三电极和背侧电极，所述第三电极和所述背侧电极分别为位于所述第二衬底的相背的两侧；所述第三电极连接所述扩展电极；其中，于所述第二衬底上形成扩展电极的步骤还包括：

图案化所述平坦层形成多个开口，所述每一第一微LED芯片结构自对应的开口露出；

形成第三电极于对应的开口中，每个第三电极连接每个第一微LED芯片结构。