[发明专利]在存储器装置的寿命期间的动态电压设置优化

说明书

本申请是关于在存储器装置的寿命期间的动态电压设置优化。基于存储器装置的分段的一或多个特性设置感测电压的初始电平。设置用于存储器装置的分段的操作循环的计数。响应于确定在所述存储器装置的所述分段上执行的操作循环的数量已经达到操作循环的所述设置计数，相对于所述感测电压的初始电平而改变所述感测电压。在所述数量的操作循环在所述存储器装置的所述分段上执行期间基于所述存储器装置的所述分段的耗损将所述感测电压调节到新的电平。

技术领域

本发明的实施例大体上涉及存储器子系统，并且更确切地说涉及基于存储器子系统中的存储器装置的分段的耗损状况中的变化来优化电压设置。

背景技术

存储器子系统可以包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可以是例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可以利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。

发明内容

本发明的一方面提供一种方法，其包括：基于存储器装置的分段的一或多个特性设置感测电压的初始电平；设置用于所述存储器装置的分段的操作循环的计数；响应于通过处理装置确定在所述存储器装置的所述分段上执行的操作循环的数量已经达到操作循环的所述设置计数，确定需要相对于所述感测电压的初始电平来调节所述感测电压；以及在所述数量的操作循环在所述存储器装置的所述分段上执行期间基于所述存储器装置的所述分段的耗损将所述感测电压调节到新的电平。

本发明的另一方面提供一种系统，其包括：存储器装置，其包括多个存储器分段；以及处理装置，其可操作地耦合到所述多个存储器分段，以针对所述多个存储器分段中的每一个周期性地执行动态电压优化操作，所述操作包括：确定在存储器分段上执行的操作循环的数量是否满足对所述存储器分段特定的循环阈值准则；响应于确定所述操作循环的数量满足所述循环阈值准则，确定与所述存储器分段相关联的位错误率；确定所述位错误率是否满足对所述存储器分段特定的错误阈值准则；以及响应于确定所述位错误率满足所述错误阈值准则，调节应用到所述存储器分段的感测电压的电平。

本发明的另一方面提供一种包括指令的非暂时性计算机可读媒体，所述指令在由处理装置执行时使得所述处理装置执行包括以下各项的操作：基于存储器装置的分段的一或多个特性设置感测电压的初始电平；设置用于所述存储器装置的分段的操作循环的计数；响应于通过所述处理装置确定在所述存储器装置的所述分段上执行的操作循环的数量已经达到操作循环的所述设置计数，确定需要相对于所述感测电压的初始电平来调节所述感测电压；以及在所述数量的操作循环在所述存储器装置的所述分段上执行期间基于所述存储器装置的所述分段的耗损将所述感测电压调节到新的电平。

附图说明

根据下文给出的详细描述和本发明的各种实施方案的附图，将更充分地理解本发明。

图1说明根据本发明的一些实施例的包含与存储器子系统耦合的主机系统的实例计算系统。

图2说明根据本发明的一些实施例的其中针对经受各种温度的存储器装置的各个分段进行循环计数的阈值电压窗口的变化。

图3A说明根据本发明的一些实施例的用于存储器装置的各个分段达固定数量的操作循环的单个感测电压。

图3B说明根据本发明的实施例的用于存储器装置的不同的分段达固定数量的操作循环的不同的感测电压。

图4说明根据本发明的一些实施例的动态电压优化的实例方法的流程图。

图5说明根据本发明的一些实施例的最优感测电压搜索的实例方法的流程图。

图6说明根据本发明的一些实施例的用于两个不同的写入到读取延迟值的各种可能的电压偏移设置。

图7图解说明根据本发明的一些实施例的选择针对不同的写入到读取延迟值优化的正确的电压设置。

图8说明根据本发明的一些实施例的示出在存储器分段的采样区中的位错误率分布的曲线。