[发明专利]在存储器装置的寿命期间的动态电压设置优化在审
申请号: | 202110771702.X | 申请日: | 2021-07-08 |
公开(公告)号: | CN113921053A | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 许中广;郎慕蓉;周振明 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C11/22 | 分类号: | G11C11/22;G06F12/02 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 装置 寿命 期间 动态 电压 设置 优化 | ||
1.一种方法,其包括:
基于存储器装置的分段的一或多个特性设置感测电压的初始电平;
设置用于所述存储器装置的分段的操作循环的计数;
响应于通过处理装置确定在所述存储器装置的所述分段上执行的操作循环的数量已经达到操作循环的所述设置计数,确定需要相对于所述感测电压的初始电平来调节所述感测电压;以及
在所述数量的操作循环在所述存储器装置的所述分段上执行期间基于所述存储器装置的所述分段的耗损将所述感测电压调节到新的电平。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述存储器装置的所述分段的所述特性包括所述分段在所述存储器装置中的物理位置、电气距离ED、温度或在制造期间的处理漂移中的至少一个。
3.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
使位错误率的阈值与所述存储器装置的所述分段相关联。
4.根据权利要求3所述的方法,其中所述调节所述感测电压进一步包括:
确定与所述存储器装置的所述分段的所述耗损相关联的所述存储器装置的所述分段的所述位错误率的所述值的改变;
确定将所述位错误率的所述值带回到与所述存储器装置的所述分段相关联的所述阈值所需要的电压偏移;以及
将所述所确定的电压偏移应用到所述感测电压的初始电平以将所述感测电压设置到所述新的电平。
5.根据权利要求4所述的方法,其进一步包括:
改变所述操作循环的写入到读取延迟时间;
对于每个写入到读取延迟时间,存储感测电压的多个电平,所述多个电平中的每一个在相对于所述感测电压的初始电平的偏移处;以及
从所述多个电平中选择感测电压的所述新的电平。
6.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
将所述操作循环的计数重新设置到较高值直至达到持续所述存储器装置的所述分段的寿命的最大操作循环数量。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述方法是通过后台处理线程执行的。
8.一种系统,其包括:
存储器装置,其包括多个存储器分段;以及
处理装置,其可操作地耦合到所述多个存储器分段,以针对所述多个存储器分段中的每一个周期性地执行动态电压优化操作,所述操作包括:
确定在存储器分段上执行的操作循环的数量是否满足对所述存储器分段特定的循环阈值准则;
响应于确定所述操作循环的数量满足所述循环阈值准则,确定与所述存储器分段相关联的位错误率;
确定所述位错误率是否满足对所述存储器分段特定的错误阈值准则;以及
响应于确定所述位错误率满足所述错误阈值准则,调节应用到所述存储器分段的感测电压的电平。
9.根据权利要求8所述的系统,其中所述感测电压的所述默认电平取决于所述存储器分段的特性,所述特性包括所述存储器分段在所述存储器装置中的物理位置、电气距离ED、温度或在制造期间的处理漂移中的至少一个。
10.根据权利要求8所述的系统,所述动态电压优化操作进一步包括:
使位错误率的适用的值与所述存储器分段相关联。
11.根据权利要求10所述的系统,其中用于调节所述感测电压的所述操作进一步包括:
确定与所述存储器分段的所述耗损相关联的所述存储器分段的所述位错误率的所述值的改变;
确定将所述位错误率的所述值带到满足与所述存储器分段相关联的所述错误阈值准则的值所需要的电压偏移;以及
将所述所确定的电压偏移应用到感测电压的初始电平以将所述感测电压设置到新的电平。
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