[发明专利]彩色化制作方法、彩色基板及显示装置有效
申请号: | 202110769923.3 | 申请日: | 2021-07-08 |
公开(公告)号: | CN113224105B | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 顾杨;陈发明;韦冬;李庆;于波 | 申请(专利权)人: | 苏州芯聚半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/50;G09F9/33 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 常伟 |
地址: | 215000 江苏省苏州市自由贸易试验区苏州片*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 彩色 制作方法 显示装置 | ||
本发明提供一种基板的彩色化制作方法、彩色基板及显示装置,所述彩色化制作方法包括:提供所述基板,所述基板一侧的表面上设有隔离层,所述隔离层包括多个隔离槽,所述多个隔离槽包括第一隔离槽;提供第一掩膜版组件,所述第一掩膜版组件包括层叠设置的第一掩膜版和第二掩膜版,所述第一掩膜版包括多个第一开口,所述第二掩膜版包括多个第二开口,每个第一开口和每个第二开口一一对应,每个第一开口的尺寸大于每个第二开口的尺寸,所述第二掩膜版夹设于所述第一掩膜版和所述基板之间;以及喷涂第一色转换材料,所述第一色转换材料依次从所述第一开口、所述第二开口进入所述第一隔离槽中形成所述第一色转换层。
技术领域
本发明涉及半导体显示技术领域,具体为一种彩色化制作方法、彩色基板及显示装置。
背景技术
Micro/Mini LED技术,即LED微缩化和矩阵化技术,指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED,如LED显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮,将像素等级由毫米级降低至微米级。Micro/Mini LED不仅继承了传统LED高效率、高亮度、高可靠性和反应时间快的优点,还具有节能、机构简单、体积小、薄型以及发光无需背光源的特点。
现有的Micro/Mini LED芯片显示器件,因为红光/绿光Micro/Mini LED芯片在良率和成本上劣于蓝光Micro/Mini LED芯片,通常使用蓝光Micro/Mini LED芯片作为激发光,增加使用量子点或者荧光粉进行色转换使得Micro/Mini LED进行全彩显示。
但,目前使用量子点或者荧光粉进行色转换使得Micro/Mini LED进行全彩显示的制作过程,通常包括1)将光转换材料融入到光刻胶中,通过曝光显影的方式制作色转换膜;缺点在于,材料利用率低,制作材料成本高;2)将光转换材料融入可打印的胶水中,通过喷墨打印的方式制作色转换膜;缺点在于,打印设备结构复杂,设备昂贵,且无法适应高像素密度的显示产品。
发明内容
本发明的目的在于提供一种彩色化制作方法、彩色基板及显示装置,克服现有的全彩显示的制作存在的制作成本高、无法适应高像素密度的显示产品等问题。
为解决上述问题,本发明技术方案提供了一种基板的彩色化制作方法,所述彩色化制作方法包括:
提供所述基板,所述基板一侧的表面上设有隔离层,所述隔离层包括多个隔离槽,所述多个隔离槽包括第一隔离槽;
提供第一掩膜版组件,所述第一掩膜版组件包括层叠设置的第一掩膜版和第二掩膜版,所述第一掩膜版包括多个第一开口,所述第二掩膜版包括多个第二开口,每个第一开口和每个第二开口一一对应,每个第一开口的尺寸大于每个第二开口的尺寸,所述第二掩膜版夹设于所述第一掩膜版和所述基板之间;以及
喷涂第一色转换材料,所述第一色转换材料依次从所述第一开口、所述第二开口进入所述第一隔离槽中形成第一色转换层。
作为可选的技术方案,
所述多个隔离槽还包括第二隔离槽;
提供第二掩膜版组件,所述第二掩膜版组件包括层叠设置的第三掩膜版和第四掩膜版,所述第三掩膜版包括多个第三开口,所述第四掩膜版包括多个第四开口,每个第三开口和每个第四开口一一对应,每个第三开口的尺寸大于每个第四开口的尺寸,所述第四掩膜版夹设于所述第三掩膜版和所述基板之间;以及
喷涂第二色转换材料,所述第二色转换材料依次从所述第三开口、所述第四开口进入所述第二隔离槽中形成第二色转换层。
作为可选的技术方案,所述第一掩膜版和所述第二掩膜版之间具有第一间距,所述第三掩膜版和所述第四掩膜版之间具有第二间距,其中,所述第一间距和所述第二间距分别小于100μm。
作为可选的技术方案,所述第一开口的中心和所述第二开口的中心重叠,所述第三开口的中心和所述第四开口的中心重叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的