[发明专利]阵列基板及制作方法、显示面板

说明书

本发明公开了一种阵列基板及制作方法、显示面板，该阵列基板包括：基底；设于基底上的第一金属层，第一金属层包括扫描线和栅极；覆盖扫描线和栅极的第一绝缘层；设于第一绝缘层上侧的第一透明金属氧化物层，第一透明金属氧化物层包括源极和漏极；设于第一绝缘层上侧的第二金属层，第二金属层包括数据线；设于第一绝缘层上侧的半导体层，半导体层包括连接源极和漏极的有源层；设于第一绝缘层上侧的像素电极，像素电极与漏极导电连接。通过将源极和漏极采用透明金属氧化物层制成，透明金属氧化物的性能比较稳定，从而使得源极和漏极不会向TFT沟道扩散离子，提高了TFT的稳定性，避免了TFT阈值电压偏移、迁移率下降以及漏电流增大的问题。

技术领域

本发明涉及显示器技术领域，特别是涉及一种阵列基板及制作方法、显示面板。

背景技术

随着显示技术的发展，轻薄化的显示面板倍受消费者的喜爱，尤其是轻薄化的显示面板(liquid crystal display，LCD)。

现有的一种显示装置包括薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor ArraySubstrate，TFT Array Substrate)、彩膜基板(Color Filter Substrate，CF Substrate)以及填充在薄膜晶体管阵列基板和彩膜基板基板之间的液晶分子，上述显示装置工作时，在薄膜晶体管阵列基板与彩膜基板上分别施加驱动电压，控制两个基板之间的液晶分子的旋转方向，以将显示装置的背光模组提供的背光折射出来，从而显示画面。

现有TFT中的源极和漏极通常是与数据线采用同一层金属膜经过图案化处理制成的，数据线、源极和漏极通常采用金属铜制成，而采用金属制成的源极和漏极容易使金属中离子扩散到TFT沟道中，使得有源层的导电性能增加，导致阈值电压偏移、迁移率下降以及漏电流增大等异常，引起TFT特性变差。现有TFT中有源层通常是设于源极和漏极的下方，在蚀刻TFT沟道时通常也会蚀刻到有源层，导致有源层的性能变差，也会引起TFT特性变差。

为了解决这个问题，有的TFT中将有源层设置与源极和漏极的上方，从而避免了在蚀刻TFT沟道时对有源层的影响，但是这会导致新的问题出现，即在蚀刻有源层时，又会蚀刻到数据线，导致数据线的性能变差，目前还没有能兼顾两个问题的解决方案。

发明内容

为了克服现有技术中存在的缺点和不足，本发明的目的在于提供一种阵列基板及制作方法、显示面板，以解决现有技术中金属制成的源极和漏极容易使金属中离子扩散到TFT沟道中，引起TFT特性变差的问题。

本发明的目的通过下述技术方案实现：

本发明提供一种阵列基板，包括：

基底；

设于所述基底上的第一金属层，所述第一金属层包括扫描线和栅极；

覆盖所述扫描线和所述栅极的第一绝缘层；

设于所述第一绝缘层上侧的第一透明金属氧化物层，所述第一透明金属氧化物层包括源极和漏极；

设于所述第一绝缘层上侧的第二金属层，所述第二金属层包括数据线，所述数据线与所述源极导电连接；

设于所述第一绝缘层上侧的半导体层，所述半导体层包括连接所述源极和所述漏极的有源层；

设于所述第一绝缘层上侧的像素电极，所述像素电极与所述漏极导电连接。

进一步地，所述半导体层设于所述第一透明金属氧化物层的上侧并与所述第一透明金属氧化物层的上表面相接触，所述有源层覆盖住所述源极和所述漏极；所述半导体层还包括覆盖所述第二金属层上表面的保护部。

进一步地，所述第一透明金属氧化物层还包括所述像素电极；所述阵列基板还包括覆盖所述半导体层的第二绝缘层以及设于所述第二绝缘层上的第二透明金属氧化物层，所述第二透明金属氧化物层包括公共电极。