[发明专利]阵列基板及制作方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基底(10)；

设于所述基底(10)上的第一金属层(11)，所述第一金属层(11)包括扫描线(111)和栅极(112)；

覆盖所述扫描线(111)和所述栅极(112)的第一绝缘层(101)；

设于所述第一绝缘层(101)上侧的第一透明金属氧化物层(12)，所述第一透明金属氧化物层(12)包括源极(121)和漏极(122)；

设于所述第一绝缘层(101)上侧的第二金属层(13)，所述第二金属层(13)包括数据线(131)，所述数据线(131)与所述源极(121)导电连接；

设于所述第一绝缘层(101)上侧的半导体层(14)，所述半导体层(14)包括连接所述源极(121)和所述漏极(122)的有源层(141)；

设于所述第一绝缘层(101)上侧的像素电极(123)，所述像素电极(123)与所述漏极(122)导电连接；

所述半导体层(14)设于所述第一透明金属氧化物层(12)的上侧并与所述第一透明金属氧化物层(12)的上表面相接触，所述有源层(141)覆盖住所述源极(121)和所述漏极(122)；所述半导体层(14)还包括覆盖所述第二金属层(13)上表面的保护部(142)。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明金属氧化物层(12)还包括所述像素电极(123)；所述阵列基板还包括覆盖所述半导体层(14)的第二绝缘层(102)以及设于所述第二绝缘层(102)上的第二透明金属氧化物层(15)，所述第二透明金属氧化物层(15)包括公共电极(151)。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括依次设置的平坦层(103)、第二透明金属氧化物层(15)、绝缘间隔层(104)以及第三透明金属氧化物层(16)，所述平坦层(103)覆盖于所述半导体层(14)远离所述基底(10)的一侧，所述第二透明金属氧化物层(15)包括公共电极(151)，所述第三透明金属氧化物层(16)包括所述像素电极(123)。

4.根据权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属层(13)还包括位于非显示区的外围走线(132)，所述第二透明金属氧化物层(15)还包括连接所述外围走线(132)的桥接电极(152)。

5.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法用于制作如权利要求1-4任一项所述的阵列基板，所述制作方法包括：

提供基底(10)；

在所述基底(10)上形成第一金属层(11)，对所述第一金属层(11)进行蚀刻并形成图案化的扫描线(111)和栅极(112)；

在所述基底(10)上形成覆盖所述扫描线(111)和所述栅极(112)的第一绝缘层(101)；

在所述第一绝缘层(101)的上侧形成第一透明金属氧化物层(12)，对所述第一透明金属氧化物层(12)进行蚀刻并形成图案化的源极(121)和漏极(122)；

在所述第一绝缘层(101)的上侧形成第二金属层(13)，对所述第二金属层(13)进行蚀刻并形成图案化的数据线(131)，所述数据线(131)与所述源极(121)导电连接；

在所述第一绝缘层(101)的上侧形成半导体层(14)，对所述半导体层(14)进行蚀刻并形成图案化的有源层(141)，所述有源层(141)与所述源极(121)和所述漏极(122)电性连接；

在所述第一绝缘层(101)的上侧形成像素电极(123)，所述像素电极(123)与所述漏极(122)导电连接；

所述第一透明金属氧化物层(12)设于所述第一绝缘层(101)的上表面并与所述第一绝缘层(101)的上表面相接触，所述半导体层(14)设于所述第一透明金属氧化物层(12)的上表面并与所述第一透明金属氧化物层(12)的上表面相接触；所述半导体层(14)还设于所述第二金属层(13)的上表面并与所述第二金属层(13)的上表面相接触，对所述半导体层(14)进行蚀刻时还形成覆盖所述第二金属层(13)的保护部(142)。