[发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种动态随机存取存储器，其特征在于，包括：

衬底，具有渠沟；

栅介电层，位于所述渠沟的侧壁与底面；

金属填充层，位于所述渠沟之中；

黏着层，位于所述栅介电层与所述金属填充层之间；

多个功函数层，位于所述渠沟中，其中每一功函数层位于所述栅介电层的侧壁与所述黏着层的侧壁之间；以及

多个掺杂区，位于所述渠沟两侧的所述衬底之中，其中部分的所述多个功函数层与部分的所述栅介电层在横向上夹于部分的所述多个掺杂区与部分的所述黏着层之间。

2.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中所述多个功函数层的功函数小于所述黏着层的功函数。

3.根据权利要求2所述的动态随机存取存储器，其中所述多个功函数层包括多个半导体层。

4.根据权利要求3所述的动态随机存取存储器，其中所述多个功函数层包括多晶硅、掺杂多晶硅或其组合。

5.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中所述多个功函数层比所述黏着层接近所述多个掺杂区。

6.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，还包括顶盖层，与所述金属填充层、所述黏着层以及所述多个功函数层的顶面接触。

7.一种动态随机存取存储器的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底中形成渠沟；

在所述渠沟的侧壁与底面形成栅介电层；

在所述栅介电层的侧壁形成多个功函数层；

在所述多个功函数层的侧壁以及所述渠沟的所述底面上的所述栅介电层上形成黏着层；

所述渠沟之中填入金属填充层；以及

于所述渠沟两侧的所述衬底中形成多个掺杂区，其中部分的所述多个功函数层与部分的所述栅介电层在横向上夹于部分的所述多个掺杂区与部分的所述黏着层之间。

8.根据权利要求7所述的动态随机存取存储器的制造方法，其中所述功函数层的形成方法包括：

形成功函数材料层，覆盖所述栅介电层；以及

移除覆盖在所述渠沟的所述底面上的所述栅介电层上的所述功函数材料层，以形成所述多个功函数材料层。

9.根据权利要求7所述的动态随机存取存储器的制造方法，其中所述多个功函数层在所述黏着层形成之前形成。

10.根据权利要求7所述的动态随机存取存储器的制造方法，还包括：

在所述渠沟中形成顶盖层，以覆盖所述金属填充层、所述黏着层以及所述多个功函数层。