[发明专利]显示面板及其制备方法在审
| 申请号: | 202110762149.3 | 申请日: | 2021-07-06 |
| 公开(公告)号: | CN113571554A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
| 发明(设计)人: | 李远航 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
一种显示面板及其制备方法。所述显示面板包括衬底基板、薄膜晶体管阵列层、像素定义层、发光器件层、薄膜封装层及色阻层。所述像素定义层在对应阳极的位置上设置有开口;所述色阻层设置在所述薄膜封装层内且位于所述开口内;其中,所述像素定义层义不透光。所述显示面板减小了所述发光器件层与所述色阻层之间的距离,进而提高所述显示面板的透过率、可视角度及弯折性能。
技术领域
本申请涉及显示领域,特别涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
对于有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示面板而言,偏光片能够有效降低强光下OLED显示面板的反射率,却导致OLED显示面板损失了将近58%的出光,这极大地增加了OLED显示面板的使用寿命负担,并且,偏光片的厚度约为100μm,其厚度较大且材质脆,不利于动态弯折产品的开发。
为了开发基于OLED显示面板的动态弯折产品,通常采用无偏光片(POL-less)技术制作OLED显示面板,POL-less技术指的是采用彩膜(Color Filter,CF)替代偏光片的技术。其中,彩膜由红色色阻、绿色色阻、蓝色色阻和黑色矩阵(Black Matrix,BM)组成,在OLED显示面板中,红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻分别承担着红色子像素单元、绿色子像素单元和蓝色子像素单元的出光,黑色矩阵主要承担着防止OLED显示面板漏光以及降低OLED显示面板的反射率的作用。彩膜不仅能够在一定程度上降低强光下OLED显示面板的反射率,还能够将OLED显示面板的出光率从42%提高到60%,并且,彩膜的厚度约为5μm,其远小于偏光片的厚度且柔韧性高,能够降低OLED显示面板的整体厚度,有利于动态弯折产品的开发。
现今POL-less技术主要是将彩膜以黄光制程形成在薄膜封装层上,然而,黄光制程复杂且良率低,且因为所述薄膜封装层造成BM开口与OLED像素之间距离大(>10μm),导致面板可视角度变小、透过率无法进一步提升等问题。
发明内容
本申请的目的在于,提供一种显示面板及其制备方法,用于解决现有技术中将彩膜以黄光制程形成在薄膜封装层上,进而造成制程复杂、良率低、可视角度变小、透过率无法进一步提升的技术问题。
为了解决上述问题,本申请提供一种显示面板,其包括:衬底基板;
薄膜晶体管阵列层,所述薄膜晶体管阵列层设置在所述衬底基板上;阳极,所述阳极设置在所述薄膜晶体管阵列层上;像素定义层,所述像素定义层覆盖所述薄膜晶体管阵列层且在对应所述阳极的位置上设置有开口;发光器件层,所述发光器件层设置在所述开口内;薄膜封装层,所述薄膜封装层覆盖所述像素定义层及所述发光器件层;及色阻层,所述色阻层设置在所述薄膜封装层内且位于所述开口内;其中,所述像素定义层为不透光。
在一些实施例中,所述薄膜封装层包括:第一无机层,所述第一无机层覆盖在所述像素定义层及所述发光器件层上;有机平坦层,所述有机平坦层覆盖在所述第一无机层与所述色阻层上;及第二无机层,所述第二无机层覆盖在所述有机平坦层上;其中,所述色阻层设置在所述第一无机层上且位于所述开口内。
在一些实施例中,所述像素定义层的侧壁为阶梯状且所述像素定义层为黑色。
在一些实施例中,所述开口在水平方向上的形状为圆形、椭圆形或弧状。
在一些实施例中,所述发光器件层在所述衬底基板上的正投影位于所述色阻层在所述衬底基板上的正投影范围内。
在一些实施例中,所述显示面板还包括:触控电极层,所述触控电极层设置在所述第二无机层上且包括多个触控电极;遮光层,所述遮光层包括多个遮光图案,所述遮光图案一一对应覆盖于所述触控电极上;及有机保护层,所述有机保护层覆盖于所述第二无机层与所述遮光层上。
在一些实施例中,所述第一无机层及所述第二无机层的材料包括氮化硅或氧化硅至少一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





