[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于包含：

一衬底，定义有一存储区以及一相邻的外围区；

多条位线设置在该衬底上，并且沿着一第一方向排列，其中各该位线包含有一导电部分，且该位线包含有四个侧壁；

一间隙壁环绕该位线的四个侧壁，其中该间隙壁包含有两个短间隙壁覆盖于该导电部分的两个末端，以及两个长间隙壁覆盖于该导电部分的两个长侧边，其中该长间隙壁还包含一第一长间隙壁与一第二长间隙壁，该第二长间隙壁覆盖于该第一长间隙壁的外侧，且其中该第一长间隙壁的高度大于该第二长间隙壁的高度；以及

多个接触隔绝块，位于任两相邻的位线之间，其中至少有一部分的接触隔绝块覆盖于该间隙壁的正上方靠近位线的本体。

2.依据权利要求第1项所述半导体存储装置，其特征在于，该短间隙壁的高度大于该第二长间隙壁的高度，但该短间隙壁的高度小于该第一长间隙壁的高度。

3.依据权利要求第1项所述半导体存储装置，其特征在于，其中位于该外围区内，包含有一接触隔绝块，至少接触并包覆一个该短间隙壁。

4.依据权利要求第3项所述半导体存储装置，其特征在于，其中接触该短间隙壁的该接触隔绝块，也同时接触一部分的该两个长间隙壁。

5.依据权利要求第3项所述半导体存储装置，其特征在于，其中接触该短间隙壁的该接触隔绝块，包含有一宽度较小的中央部分以及两宽度较大的两端部分。

6.依据权利要求第5项所述半导体存储装置，其特征在于，其中该宽度较小的中央部分与该位线在该第一方向对齐。

7.依据权利要求第1项所述半导体存储装置，其特征在于，其中更定义两相邻的该位线以及两相邻的该接触隔绝块之间的区域为一储存点孔洞，其中该存储区内，包含一导电层填满各该储存点孔洞，且位于该储存点孔洞内的该导电层被定义为多个储存点接触，且其中该外围区内的多数各该储存点孔洞内不包含该导电层。

8.依据权利要求第7项所述半导体存储装置，其特征在于，其中该外围区与该存储区的一交界处，该储存点孔洞仅被一部分的该导电层填入，但未被该导电层所填满。

9.依据权利要求第1项所述半导体存储装置，其特征在于，其中该多条位线包含有至少一长位线以及至少一短位线，其中该长位线与该短位线具有不同的延伸长度,其中该长位线的一末端旁的该短间隙壁的一顶面高于该短位线的一末端旁的该短间隙壁的一顶面。

10.依据权利要求第1项所述半导体存储装置，其特征在于，其中该短间隙壁的一顶面高度，小于该位线的该导电部分的一顶面高度。