[发明专利]晶圆后处理设备及其应用的具有导流功能的通风系统有效
申请号: | 202110761381.5 | 申请日: | 2021-07-06 |
公开(公告)号: | CN113488413B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 曹自立;李灯;刘健;李长坤;赵德文 | 申请(专利权)人: | 华海清科股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300350 天津市津*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆后 处理 设备 及其 应用 具有 导流 功能 通风 系统 | ||
本发明公开了一种晶圆后处理设备及其应用的具有导流功能的通风系统,晶圆后处理设备包括:用于竖直旋转晶圆的夹持机构、用于输送流体的供给臂、用于在晶圆处理腔室内形成动态气流的通风系统;所述通风系统包括位于所述晶圆处理腔室一面的进气组件和位于所述晶圆处理腔室的相对的另一面的排气组件,所述排气组件包括排风背板和环形排风罩,所述晶圆处理腔室内的气体从排风背板的排风口进入环形排风罩进行汇集,并通过环形排风罩的底部引出结构向下方的排气管路引出;所述排风背板的排风口具有由内向外敛缩的内表面,以在相邻排风口之间形成导流结构,从而减少排风口之间的实体区域对气流的阻挡。
技术领域
本发明涉及化学机械抛光后处理技术领域,尤其涉及一种晶圆后处理设备及其应用的具有导流功能的通风系统。
背景技术
化学机械抛光(Chemical Mechanical Planarization,CMP)是一种全局平整化的超精密表面加工工艺。由于化学机械抛光中大量使用的化学试剂和研磨剂会在抛光完成后在晶圆表面残留大量的研磨颗粒和研磨副产物等污染物,这些污染物会对后续工艺产生不良影响,并可能导致晶圆良率损失。所以在化学机械抛光之后需要引入后处理工艺,后处理工艺一般由清洗和干燥组成,以提供光滑洁净的晶圆表面。
在晶圆后处理过程中,需要对工艺腔室内不断进行通风换气,工艺腔室内气体流动产生的流场会对晶圆干燥产生影响,特别是当工艺腔室内的气体流场分布不均匀时会对晶圆后处理产生不利影响。腔室背板的排风口之间的实体部分对排风气流造成了阻挡,具体地,当抽吸气流正对排风口时该处气流排出顺畅,但是当抽吸气流正对背板的实体部分时会使气流受阻产生涡旋导致该处气流排出不畅,从而降低了腔内含污染物的废气的排出效率,进而增大了污染晶圆的可能性,对工艺效果不利。
因此,如何设置效果更好的通风系统是目前亟待解决的问题。
发明内容
本发明实施例提供了一种晶圆后处理设备及其应用的具有导流功能的通风系统,旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。
本发明实施例的第一方面提供了一种应用于晶圆后处理设备的具有导流功能的通风系统,所述通风系统用于在晶圆处理腔室内形成动态气流,所述通风系统包括位于所述晶圆处理腔室一面的进气组件和位于所述晶圆处理腔室的相对的另一面的排气组件,所述排气组件包括排风背板和环形排风罩,所述晶圆处理腔室内的气体从排风背板的排风口进入环形排风罩进行汇集,并通过环形排风罩的底部引出结构向下方的排气管路引出;
所述排风背板的排风口具有由内向外敛缩的内表面,以在相邻排风口之间形成导流结构,从而减少排风口之间的实体区域对气流的阻挡。
在一个实施例中,排风口的截面积由内至外呈减小的趋势。
在一个实施例中,排风口的内表面为锥台形内表面。
在一个实施例中,导流结构连通排风背板的内表面和外表面,导流结构位于排风背板内表面的部分的面积小于其位于排风背板外表面的部分的面积。
在一个实施例中,导流结构为三棱柱形状,以消除气流死角。
在一个实施例中,导流结构的角度为3°~60°。
在一个实施例中,导流结构的角度为10°~45°。
在一个实施例中,排风口的数量为10~90个。
在一个实施例中,排风背板的厚度为5~50mm。
本发明实施例的第二方面提供了一种晶圆后处理设备,包括:用于竖直旋转晶圆的夹持机构和用于输送流体的供给臂;所述供给臂可竖直地摆动并经由设置于其自由端处的喷射机构将流体供应至晶圆上;还包括如上所述的通风系统。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华海清科股份有限公司,未经华海清科股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110761381.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造