[发明专利]电子封装件及其制法在审

专利信息
申请号: 202110761332.1 申请日: 2021-07-06
公开(公告)号: CN115527951A 公开(公告)日: 2022-12-27
发明(设计)人: 卜昭强;何祈庆;符毅民 申请(专利权)人: 矽品精密工业股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/56;H01L25/18
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电子 封装 及其 制法
【说明书】:

发明涉及一种电子封装件及其制法,包括将电子元件及被动元件配置于封装模块中,再将该封装模块及多个导电柱嵌埋于封装层中,因而后续制程的封装层内无需额外增加布设该被动元件的空间,以利于控制封装层内的布设空间,有效缩减该电子封装件的体积。

技术领域

本发明有关一种半导体封装制程,尤指一种电子封装件及其制法。

背景技术

为了确保电子产品和通信设备的持续小型化和多功能性,半导体封装需朝尺寸微小化发展,以利于多引脚的连接,并具备高功能性。例如,于先进制程封装中,常用的封装型式如2.5D封装制程、扇出(Fan-Out)布线配合嵌埋桥接(Embedded Bridge)元件的制程(简称FO-EB)等,且FO-EB相对于2.5D封装制程具有低成本及材料供应商多等优势。

图1为现有FO-EB的半导体封装件1的剖面示意图。该半导体封装件1于一具有线路层140的基板结构14上设置第一半导体芯片11(经由粘胶12)、被动元件19与多个导电柱13,再以一第一封装层15包覆该半导体芯片11、被动元件19与该些导电柱13,之后于该第一封装层15上形成一电性连接该第一半导体芯片11与该些导电柱13的线路结构10,以于该线路结构10上设置多个电性连接该线路结构10的第二半导体芯片16,并以一第二封装层18包覆该些第二半导体芯片16,其中,该线路层140与该线路结构10采用扇出型重布线路层(redistribution layer,简称RDL)的规格,且该第一半导体芯片11作为嵌埋于该第一封装层15中的桥接元件(Bridge die),以电性桥接两相邻的第二半导体芯片16。

现有半导体封装件1中,以该基板结构14经由多个焊球17接置于一电路板1a上,且该些导电柱13电性连接该线路层140。

此外,该被动元件19可提供该第一半导体芯片11较佳的保护,且因该被动元件19邻近该第一半导体芯片11,使该半导体封装件1具有稳压稳流的作用,并经由该被动元件19的设置,可减少该第一封装层15的体积,以减少应力的发生。

然而,现有半导体封装件1中,该被动元件19独立设于该基板结构14上,将占用该基板结构14的上方的布设空间,因而不利于缩减该半导体封装件1的体积。

因此,如何克服上述现有技术的问题,实已成目前亟欲解决的课题。

发明内容

鉴于上述现有技术的种种缺陷,本发明提供一种电子封装件及其制法,可减小体积。

本发明的电子封装件包括:封装层;封装模块,其嵌埋于该封装层中,且该封装模块包含有至少一第一电子元件、至少一被动元件、及一包覆该第一电子元件的包覆层,其中,该被动元件嵌埋于该包覆层中及/或结合于该第一电子元件上;多个导电柱,其嵌埋于该封装层中;以及线路结构,其设于该封装层上以电性连接该第一电子元件、多个导电柱及该被动元件。

本发明还提供一种电子封装件的制法,包括:提供一封装模块,其包含有至少一第一电子元件、至少一被动元件、及一包覆该第一电子元件的包覆层,其中,该被动元件嵌埋于该包覆层中及/或结合于该第一电子元件上;将该封装模块设于一承载件上,且该承载件上形成有多个导电柱;形成封装层于该承载件上,以令该封装层包覆该封装模块与该多个导电柱;形成线路结构于该封装层上,以令该线路结构电性连接该第一电子元件、多个导电柱及该被动元件;以及移除该承载件。

前述的电子封装件及其制法中,该被动元件相对位于该第一电子元件的侧面。

前述的电子封装件及其制法中,该被动元件叠合于该第一电子元件上。

前述的电子封装件及其制法中,还包括于该线路结构上配置多个第二电子元件,且令该多个第二电子元件电性连接该线路结构。例如,该第一电子元件作为桥接元件,以电性桥接该多个第二电子元件的相邻两者。

前述的电子封装件及其制法中,该封装层与该包覆层之间形成有交界面。

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