[发明专利]一种半导体环保清洗剂的制备方法

说明书

本发明公开了一种半导体环保清洗剂的制备方法，半导体环保清洗剂包括络合剂、酸度调节剂、软化剂、有机碱、无机碱和纯水，其具体制备方法包括备料预处理、初步混合、进一步混料、最终混合配料、成品预处理和分装以上的步骤，本发明改善了传统半导体材料清洗的问题，降低了CMP后衬底晶片的表面Particle数量；对终检的无尘室晶片最终清洗影响显著，提高了晶片的通过率；本发明整道清洗制程后，对比现行的清洗效果有显著的提升，送入无尘室进行最终清洗，晶片的通过率相对原工艺提升10％～15％；整体性能良好、使用环保安全，并能降低SIC衬底晶片的颗粒污染，清洗效率高，提高了SIC衬底晶片的加工效率。

技术领域

本发明涉及半导体环保清洗剂制备领域，具体为一种半导体环保清洗剂的制备方法。

背景技术

SIC作为第三代半导体材料，其具有禁带宽度大，击穿场强，热导率大，电子饱和漂移速度高，抗辐射能力强和良好化学稳定性等特性，成为新一代的电子器件关键材料。在节能减排、国防建设、电子信息等方面有着可催生出上万亿的市场。同时SIC与制作大功率微波、电力电子、光电子器件的重要材料GaN之间具有非常小的晶格失配和热膨胀系数差，使得SIC成为新一代宽禁带半导体器件的重要衬底材料。

SIC晶片作为衬底材料其表面的洁净度直接影响后道工序的良率以及最终器件的性能稳定性。SIC晶片在切割、研磨、精磨、CMP等加工工序后表面残留多种杂质，如有机物、研磨颗粒、金属离子、无机杂质等污染物，这需要对SIC衬底晶片进行表面清洗，以得到符合质量要求的洁净SIC衬底片。同时，在包装前要进行终端清洗，在外延前也要对购买的SIC衬底晶片进行来料清洗，以保证衬底片表面的洁净度。

随着三代半导体的持续发展，国内各家SIC衬底生产供应商的产能逐步释放，功率器件的要求性能不断提高，以及SIC衬底晶片向大直径、高品质的方向发展，从而对SIC衬底晶片的表面质量要求越来越严，这主要因为SIC衬底晶片表面的杂质脏污严重影响功率器件的质量和成品率。

现有的中国专利申请号为“CN202011473109.9”提出的“一种半导体清洗剂及其制备方法，属于半导体清洗技术领域。该半导体清洗剂包括非离子表面活性剂、阴离子表面活性剂及有机溶剂，按质量份数计，非离子表面活性剂2-5份，阴离子表面活性剂9-12份、有机溶剂3-6份。通过半导体清洗剂制备方法制备的半导体清洗剂对硅片表面的研磨剂、金属离子等具有极佳的分散性能和容忍度，清洗表面均匀光洁，极好的满足了客户的生产需求，同时降低了对环境的污染”，但是研磨剂、金属离子这些物质去除能力较弱，且可能对操作员工的人身安全产生了威胁。

随着三代半导体产业和SIC衬底晶片精密加工的发展，对清洗剂提出了更加苛刻和多样性的要求，其主要发展要求和趋势是：1.降低成本，这是三代半导体发展的要求；2.提高表面洁净度，降低表面颗粒数；3.提高清洗效率，可以缩短清洗制程时间，提高生产效率；4.环保并且对环境无污染。

针对上述提出的问题，本发明提供了一种半导体环保清洗剂的制备方法，其具有性能良好、环保安全，并能降低SIC衬底晶片的颗粒污染、提高SIC衬底晶片的加工效率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体环保清洗剂的制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种半导体环保清洗剂的制备方法，半导体环保清洗剂包括如下组分制成：按重量份数计，络合剂7-15份、酸度调节剂2-7份、软化剂2-7份、有机碱4-8份、无机碱10-20份、纯水45-60份；

所述半导体环保清洗剂的制备方法，包括以下步骤：

S1、备料预处理：分别称取络合剂7-15份、酸度调节剂2-7份、软化剂2-7份、有机碱4-8份、无机碱10-20份、纯水45-60份，将纯净水通过滤网过滤后放入水桶内，将络合剂、酸度调节剂、软化剂、有机碱和无机碱依次过滤后分别装入五个料桶内部，除去制备原料中的大的杂质；