[发明专利]衬底及衬底的拼接方法和单晶金刚石的制备方法

权利要求书

1.一种衬底的拼接方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供单晶金刚石籽晶，所述单晶金刚石籽晶具有底表面和与所述底表面相背的顶表面；所述单晶金刚石籽晶具有自所述底表面至所述顶表面的第一高度；

沿所述第一高度的等分线切割所述单晶金刚石籽晶，使所述单晶金刚石籽晶被切割成具有相同第二高度的多块籽晶；

将多块所述籽晶沿垂直于所述第二高度的方向进行拼接，且使相互拼接的所述籽晶之间的晶体取向相同，由此获得衬底。

2.根据权利要求1所述的衬底的拼接方法，其特征在于，所述单晶金刚石籽晶还包括自所述底表面的边缘朝向所述顶表面延伸并与所述顶表面的边缘连接的周向侧表面；

在所述切割前还包括降低所述周向侧表面之粗糙度的步骤，且沿所述第一高度的二等分线进行切割；

或者，在所述切割前还包括降低所述周向侧表面之粗糙度的步骤，且沿所述第一高度的三等分线进行切割；

或者，在所述切割前还包括降低所述周向侧表面之粗糙度的步骤，且沿所述第一高度的四等分线进行切割。

3.根据权利要求2所述的衬底的拼接方法，其特征在于，相互拼接的两块所述籽晶之两个拼接面相互平行，且两个所述拼接面的粗糙度都不大于0.8nm。

4.根据权利要求2所述的衬底的拼接方法，其特征在于，相互拼接的两块所述籽晶之间的缝隙小于5.0nm。

5.根据权利要求1至4任一项所述的衬底的拼接方法，其特征在于，获得的多块所述籽晶具有切割面，在所述拼接前还包括降低所述切割面的粗糙度的步骤。

6.根据权利要求1至4任一项所述的衬底的拼接方法，其特征在于，还包括对所述顶表面以及多块所述籽晶的切割面进行精磨处理以使所述顶表面、所述切割面与所述底表面平行的步骤。

7.一种衬底，其特征在于，所述衬底由多块籽晶拼接而成，且相互拼接的多块所述籽晶的晶体取向相同；

所述衬底采用权利要求1至6任一项所述的拼接方法拼接得到。

8.如权利要求7所述的衬底，其特征在于，所述衬底中，相互拼接的相邻两个所述籽晶之间的缝隙小于5.0nm。

9.一种单晶金刚石的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供如权利要求7至8任一项所述的衬底；

所述衬底具有顶面，在所述顶面上生长单晶金刚石层，获得单晶金刚石。

10.如权利要求9所述的单晶金刚石的制备方法，其特征在于，还包括分离所述衬底与所述单晶金刚石层的步骤。