[发明专利]集成电路开路缺陷预测的方法、装置、计算机设备及介质

说明书

本发明能够提供集成电路开路缺陷预测的方法、装置、计算机设备及介质，该方法可包括如下步骤。对集成电路设计版图包含的光刻图形进行光学邻近效应矫正，以得到第一仿真图形。基于刻蚀第一仿真图形的过程对第一仿真图形进行修正，以得到第二仿真图形。基于化学机械平坦化处理第二仿真图形的过程对第二仿真图形进行修正，以得到第三仿真图形。通过对第三仿真图形包含的目标线条图形进行分段划分的方式确定多个图形片段。根据所有图形片段的形貌特征预测目标线条图形是否存在开路缺陷。本发明结合了光学邻近效应、刻蚀、化学机械平坦化等多种工艺的涨落因素，实现一种抗工艺涨落的集成电路开路缺陷预测方法，提升了集成电路的良率和可靠性。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，更为具体来说，本发明能够提供一种集成电路开路缺陷预测的方法、装置、计算机设备及介质。

背景技术

摩尔定律的发展速度随着集成电路工艺节点的演进而逐渐放缓，集成电路的制造难度和成本却持续攀升。随着芯片制造的复杂度的提升，投片前的仿真验证尤为重要，尽可能最大程度地避免后续流片中的返工。传统流片前的检查一般为DRC(Design Rule Check，设计规则检查)，但这种方式仍然无法充分保证良率，亟待需要改进或优化。

发明内容

为解决传统流片前的检查方案无法充分保证良率的问题，本发明能够提供一种集成电路开路缺陷预测的方法、装置、计算机设备及介质，可在流片前预测出开路缺陷，提高了集成电路的良率，增强了集成电路可靠性。

为实现上述的技术目的，本发明公开了一种集成电路开路缺陷预测的方法，该方法可包括但不限于如下的一个或多个步骤。

对集成电路设计版图包含的光刻图形进行光学邻近效应矫正，以得到第一仿真图形。

基于刻蚀所述第一仿真图形的过程对所述第一仿真图形进行修正，以得到第二仿真图形。

基于化学机械平坦化处理所述第二仿真图形的过程对所述第二仿真图形进行修正，以得到第三仿真图形。

通过对所述第三仿真图形包含的目标线条图形进行分段划分的方式确定多个图形片段。

根据所有图形片段的形貌特征预测所述目标线条图形是否存在开路缺陷。

进一步地，所述形貌特征包括最小宽度。

所述根据所有图形片段的形貌特征预测所述目标线条图形是否存在开路缺陷包括：

根据任一图形片段的最小宽度小于开路缺陷阈值确定所述目标线条图形存在开路缺陷。

或者，根据所有图形片段的最小宽度均大于或等于开路缺陷阈值确定所述目标线条图形无开路缺陷。

进一步地，所述根据任一图形片段的最小宽度小于开路缺陷阈值确定所述目标线条图形存在开路缺陷包括：

根据图形片段的最小宽度小于开路缺陷阈值确定该图形片段的开路概率。

根据图形片段的开路概率确定目标线条图形的开路概率。

进一步地，所述基于刻蚀所述第一仿真图形的过程对所述第一仿真图形进行修正包括：

基于刻蚀所述第一仿真图形的仿真过程形成刻蚀偏差矩阵组，其中，所述刻蚀偏差矩阵组用于表示由于刻蚀产生的所述第一仿真图形的轮廓变化。

通过所述刻蚀偏差矩阵组修正所述第一仿真图形。

进一步地，所述通过对所述第三仿真图形包含的目标线条图形进行分段划分的方式确定多个图形片段包括：

遍历所述第三仿真图形包含的所有目标线条图形。

分别去掉各个目标线条图形的尾端。