[发明专利]一种IGBT封装散热结构及其应用的电机控制器在审
| 申请号: | 202110755225.8 | 申请日: | 2021-07-05 |
| 公开(公告)号: | CN113488445A | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
| 发明(设计)人: | 刘蕾;顾杰;毛建华;程勇 | 申请(专利权)人: | 合肥巨一动力系统有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/473 | 分类号: | H01L23/473;H01L23/367 |
| 代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 范晴 |
| 地址: | 230051 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 igbt 封装 散热 结构 及其 应用 电机 控制器 | ||
本发明公开了一种IGBT封装散热结构及其应用的电机控制器,IGBT封装散热结构包括散热基板主体及分别固定于其两侧的散热翅片、电极;散热翅片带有内腔结构,内腔中放置晶元、第一DBC层、第二DBC层;所述晶元左、右两侧表面分别通过第二焊料层、第三焊料层与第一DBC层的右表面覆铜层、第二DBC层的左表面覆铜层连接。所述电极分别与第一DBC层的右表面覆铜层、第二DBC层的左表面覆铜层连接。所述第一DBC层的左表面覆铜层、第二DBC层的右表面覆铜层分别通过第一焊料层、第四焊料层与散热翅片的左、右内腔表面连接。本发明的IGBT封装散热结构,将IGBT的封装外壳与散热水道翅片合二为一,降低封装体积,实现多面水冷散热,解决了高度集成后控制器IGBT散热问题。
技术领域
本发明涉及IGBT散热技术,特别涉及一种IGBT封装散热结构及其应用的电机控制器。
背景技术
IGBT是能源变换与传输的核心器件,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。由于IGBT器件在电路中承载的电流大,功率密度高,因此需要很好的散热能力,才能保证IGBT正常工作。IGBT的散热非常重要,散热不好会严重影响IGBT的使用寿命。由于我国对IGBT研究起步晚,目前的封装结构设计中,散热性能不能达到最佳。因此,在现有电机控制器产品功率密度要求越来越高,急需开发结构简单且散热性能好的IGBT封装散热结构。由于IGBT在电力电子装置上的重要作用,对于IGBT的散热要求来越来越高。
现有IGBT封装结构多将晶元水平布置在大的基板平面上,封装体积大;散热依赖于底部散热板,散热效率低,效果差。
发明内容
本发明目的是:提供一种GBT封装散热结构及其应用的电机控制器,解决的技术问题:
1、将IGBT的封装外壳与散热水道翅片合二为一,合理利用空间,降低封装体积;
2、实现多面水冷散热,提高散热面积及散热效率;
3、解决高度集成后控制器系统IGBT散热问题,提升系统的功率密度。
本发明的技术方案是:
一种IGBT封装散热结构,包括散热基板主体及分别固定于其两侧的散热翅片、电极;散热翅片带有内腔结构,内腔中放置晶元、第一DBC层、第二DBC层;电极穿过散热基板主体,在散热翅片内腔中分别通过第一DBC层、第二DBC层与晶元接通。
优选的,所述晶元左、右两侧表面分别通过第二焊料层、第三焊料层与第一DBC层的右表面覆铜层、第二DBC层的左表面覆铜层连接。
优选的,所述电极分别与第一DBC层的右表面覆铜层、第二DBC层的左表面覆铜层连接,完成电流的输入输出。
优选的,所述第一DBC层的左表面覆铜层、第二DBC层的右表面覆铜层分别通过第一焊料层、第四焊料层与散热翅片的左、右内腔表面连接。
优选的,所述散热基板主体在对应散热翅片内腔位置设置有绝缘外壳,电极穿过绝缘外壳进入散热翅片内腔。
优选的,所述散热翅片内腔的空隙填充有散热材料。
优选的,所述散热翅片内腔为底部封闭的U型腔、凵型腔、梯形型腔中的一种。
优选的,所述散热翅片内腔的底部不封闭。
一种电机控制器,包括主壳体及其内部的薄膜电容、PCB板、三相输出模块、IGBT模块,还包括穿过主壳体的直流母线;所述IGBT模块采用所述的IGBT封装散热结构,多个IGBT封装散热结构共用一个散热基板主体。
优选的,主壳体内设置有散热水道,IGBT模块的散热翅片置于散热水道中。
本发明的优点是:
1、本发明提出的IGBT封装散热结构,将IGBT的封装外壳与散热水道翅片合二为一,合理利用空间,降低封装体积,利于电机控制器小型化设计;
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