[发明专利]微发光二极管显示面板及制作方法有效
申请号: | 202110754221.8 | 申请日: | 2021-07-05 |
公开(公告)号: | CN113193000B | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 韦冬;李庆;于波;赵柯;黄朝葵 | 申请(专利权)人: | 苏州芯聚半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/62 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 常伟 |
地址: | 215000 江苏省苏州市自由贸易试验区苏州片*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 显示 面板 制作方法 | ||
本发明提供一种微发光二极管显示面板及制作方法,制作方法包括:拍摄透明衬底上若干微发光二极管,获得若干微发光二极管的初始图像;处理所述初始图像,获得若干微发光二极管的电极的分布图像;依据所述分布图像,制作掩膜版,所述掩膜版包括若干开口,若干开口与若干微发光二极管的电极一一对应;层叠所述掩膜版至所述透明衬底远离所述微发光二极管一侧,图案化所述透明衬底形成若干贯孔,若干贯孔与若干微发光二极管的电极一一对应;以及形成若干贯通电极于若干贯孔中,若干贯通电极导通若干微发光二极管的电极。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种微发光二极管显示面板及制作方法。
背景技术
微发光二极管(Micro LED,μLED,简称:微LED)显示器是一种以在一个基板上集成的高密度微小尺寸的LED阵列作为显示像素来实现图像显示的显示器,同大尺寸的户外LED显示屏一样,每一个像素可定址、单独驱动点亮,可以看成是户外LED显示屏的微小版,将像素点距离从毫米级降低至微米级。微LED显示器属于自发光显示器,与OLED显示器相比,具有材料稳定性更好、寿命更长、无影像烙印等优点,具有较大的应用潜力。
现有的微LED显示面板制作工艺,通过在驱动背板上批量转移并键合微LED芯片阵列实现像素阵列加工。其中,驱动背板和微LED芯片分别在独立的生产线上完成,再通过键合工艺将基板与巨量的LED芯片组装到一起,由于驱动背板上接收微LED的键合位置已经固定,不能有效兼容转移过程中微LED位置偏差,组装后因位置偏差带来的不良的微LED像素点占比较多,导致显示面板的良率较低。
发明内容
基于此,有必要针对如何提高微发光二极管显示面板的产品良率的问题,提供一种能够提高产品良率的微发光二极管显示面板及制作方法。
本发明一实施例中提供一种微发光二极管显示面板的制作方法,所述制作方法包括:
拍摄透明衬底上若干微发光二极管,获得若干微发光二极管的初始图像;
处理所述初始图像,获得若干微发光二极管的电极的分布图像;
依据所述分布图像,制作掩膜版,所述掩膜版包括若干开口,若干开口与若干微发光二极管的电极一一对应;
层叠所述掩膜版至所述透明衬底远离所述微发光二极管一侧,图案化所述透明衬底形成若干贯孔,若干贯孔与若干微发光二极管的电极一一对应;以及
形成若干贯通电极于若干贯孔中,若干贯通电极导通若干微发光二极管的电极。
作为可选的技术方案,拍摄透明衬底上若干微发光二极管,获得若干微发光二极管的初始图像的步骤还包括:转移若干微发光二极管至所述透明衬底上。
作为可选的技术方案,所述转移若干微发光二极管至所述透明衬底上的步骤包括:
提供辅助衬底,所述辅助衬底上包括若干微发光二极管,每一微发光二极管的电极朝向远离辅助衬底的方向伸出;
提供所述透明衬底,所述透明衬底一侧的表面上包括结合层;
键合若干微发光二极管的电极与所述结合层;
激光照射辅助衬底,分离所述辅助衬底与若干微发光二极管,以使若干微发光二极管转移至所述透明衬底的所述结合层上。
作为可选的技术方案,所述结合层为透明粘合层或者半透明的粘合层。
作为可选的技术方案,自所述透明衬底远离若干微发光二极管一侧拍摄以获取若干微发光二极管的初始图像。
作为可选的技术方案,所述转移若干微发光二极管至所述透明衬底上的步骤还包括:
形成封装层,所述封装层覆盖若干微发光二极管远离所述透明衬底的一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的