[发明专利]微发光二极管显示面板及制作方法有效
申请号: | 202110754221.8 | 申请日: | 2021-07-05 |
公开(公告)号: | CN113193000B | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 韦冬;李庆;于波;赵柯;黄朝葵 | 申请(专利权)人: | 苏州芯聚半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/62 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 常伟 |
地址: | 215000 江苏省苏州市自由贸易试验区苏州片*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 显示 面板 制作方法 | ||
1.一种微发光二极管显示面板的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
自透明衬底远离若干微发光二极管一侧拍摄以获取若干微发光二极管的初始图像;
处理所述初始图像,获得若干微发光二极管的电极的分布图像;
依据所述分布图像,制作掩膜版,所述掩膜版包括若干开口,若干开口与若干微发光二极管的电极一一对应;
层叠所述掩膜版至所述透明衬底远离所述微发光二极管一侧,图案化所述透明衬底形成若干贯孔,若干贯孔与若干微发光二极管的电极一一对应;以及
形成若干贯通电极于若干贯孔中,若干贯通电极导通若干微发光二极管的电极。
2.根据权利要求1所述的微发光二极管显示面板的制作方法,其特征在于,拍摄透明衬底上若干微发光二极管,获得若干微发光二极管的初始图像的步骤还包括:
转移若干微发光二极管至所述透明衬底上。
3.根据权利要求2所述的微发光二极管显示面板的制作方法,其特征在于,所述转移若干微发光二极管至所述透明衬底上的步骤包括:
提供辅助衬底,所述辅助衬底上包括若干微发光二极管,每一微发光二极管的电极朝向远离辅助衬底的方向伸出;
提供所述透明衬底,所述透明衬底一侧的表面上包括结合层;
键合若干微发光二极管的电极与所述结合层;
激光照射辅助衬底,分离所述辅助衬底与若干微发光二极管,以使若干微发光二极管转移至所述透明衬底的所述结合层上。
4.根据权利要求3所述的微发光二极管显示面板的制作方法,其特征在于,所述结合层为透明粘合层或者半透明的粘合层。
5.根据权利要求3所述的微发光二极管显示面板的制作方法,其特征在于,所述转移若干微发光二极管至所述透明衬底上的步骤还包括:
形成封装层,所述封装层覆盖若干微发光二极管远离所述透明衬底的一侧。
6.根据权利要求5所述的微发光二极管显示面板的制作方法,其特征在于,所述封装层为透明封装层。
7.根据权利要求2所述的微发光二极管显示面板的制作方法,其特征在于,所述转移若干微发光二极管至所述透明衬底上的步骤包括:
转移头拾取若干微发光二极管,以使若干微发光二极管倒装键合至所述透明衬底一侧的表面上的结合层中。
8.根据权利要求1所述的微发光二极管显示面板的制作方法,其特征在于,所述透明衬底包括透明玻璃衬底、透明树脂衬底。
9.一种微发光二极管显示面板,其特征在于,所述微发光二极管显示面板由上述权利要求1-8中任意一项所述的制作方法制作。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的