[发明专利]一种W频段多通道气密封装相控阵SIP模块

权利要求书

1.一种W频段多通道气密封装相控阵SIP模块，其特征在于，包括：

SIP腔体（1），所述SIP腔体（1）上设置有若干W频段波导口（2）；

多个射频链路，位于所述SIP腔体（1）内，所述射频链路为一分多链路，其端口均与W频段波导口（2）连接；

连接子板，由射频基板（3）和接口板（4）组成；

AD控制芯片（5），位于所述SIP腔体（1）内，所述AD控制芯片（5）通过所述射频基板（3）与所述射频链路连接，所述AD控制芯片（5）还与所述接口板（4）连接；

所述射频链路包括公共链路和多个分支链路；

所述公共链路包括第一W频段功放芯片（6），所述第一W频段功放芯片（6）与一个W频段波导口（2）连接；

所述分支链路包括第二W频段功放芯片（9）、第三W频段功放芯片（10）和W频段移相衰减控制芯片（8）；

所述W频段移相衰减控制芯片（8）经射频传输电路（7）与所述第一W频段功放芯片（6）连接；

所述第二W频段功放芯片与（12）所述W频段移相衰减控制芯片（8）连接；

所述第三W频段功放芯片（10）与所述第二W频段功放芯片（9）和一个W频段波导口（2）连接；

所述第一W频段功放芯片（6）、第二W频段功放芯片（9）、第三W频段功放芯片（10）和W频段移相衰减控制芯片（8）均经射频基板（3）与AD控制芯片（5）连接。

2.根据权利要求1所述的一种W频段多通道气密封装相控阵SIP模块，其特征在于，所述射频传输电路（7）包括：

第一传输电路（11），与所述第一W频段功放芯片（6）连接；

第二传输电路（12），与所述第一传输电路（11）连接；

多个第三传输电路（13），每个第三传输电路（13）分别与对应的W频段移相衰减控制芯片（8）和所述第二传输电路（12）连接。

3.根据权利要求1所述的一种W频段多通道气密封装相控阵SIP模块，其特征在于，所述射频链路沿水平方向或竖直方向链式布局。

4.根据权利要求1所述的一种W频段多通道气密封装相控阵SIP模块，其特征在于，所述AD控制芯片（5）和射频链路的安装位置周边设置有装配槽（14）。

5.根据权利要求4所述的一种W频段多通道气密封装相控阵SIP模块，其特征在于，所述SIP腔体（1）的壁厚大于1mm。

6.根据权利要求1所述的一种W频段多通道气密封装相控阵SIP模块，其特征在于，所述射频链路通过微带-波导转换结构（15）与W频段波导口（2）连接；所述微带-波导转换结构（15）设置在陶瓷基板上，所述陶瓷基板设置在所述W频段波导口（2）上，且所述陶瓷基板封闭所述W频段波导口（2）。

7.根据权利要求6所述的一种W频段多通道气密封装相控阵SIP模块，其特征在于，所述微带-波导转换结构（15）包括探针（16）、两片探针耦合片（17）和接地块（18），所述探针（16）和探针耦合片（17）分别设置于所述接地块（18）的两面，两片探针耦合片（17）以探针（16）为中心线对称设置，所述探针（16）上设置有向内凹陷形成的细线段。

8.根据权利要求1所述的一种W频段多通道气密封装相控阵SIP模块，其特征在于，所述连接子板为高温共烧陶瓷电路板。

9.根据权利要求1所述的一种W频段多通道气密封装相控阵SIP模块，其特征在于，所述射频基板（3）和接口板（4）与所述SIP腔体（1）内腔对位嵌合，所述接口板（4）与所述SIP腔体（1）焊接；和/或，

所述SIP腔体（1）由下腔体和盖板组成，所述下腔体与所述盖板激光封焊。