[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法在审

申请号：	202110749578.7	申请日：	2021-07-02
公开（公告）号：	CN113921361A	公开（公告）日：	2022-01-11
发明（设计）人：	田吹圭司;户根川大和;五十岚一将;矢部和雄	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01J37/32	分类号：	H01J37/32;H01L21/67;H01L21/318
代理公司：	北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277	代理人：	刘新宇
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	等离子体处理装置方法
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【说明书】：

本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，提供一种能够抑制微粒向基板的附着的技术。本公开的一个方式的等离子体处理装置具备：处理容器，其具有纵型的筒体状，在处理容器的侧壁形成有开口，在所述处理容器内部将多个基板分多层收容；等离子体划分壁，其气密地设置于所述处理容器的外壁，覆盖所述开口并且规定等离子体生成空间；等离子体电极，其沿着所述等离子体划分壁设置；以及处理气体供给部，其设置于所述等离子体生成空间的外部，供给等离子体生成用气体。

技术领域

本公开涉及一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。

背景技术

关于批处理式的热处理装置，已知一种使产生等离子体的等离子体产生部向处理容器内开口来将其以连通状态设置的技术(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-343017号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够抑制微粒向基板的附着的技术。

用于解决问题的方案

根据本公开的一方式的等离子体处理装置具备：处理容器，其具有纵型的筒体状，在处理容器的侧壁形成有开口，在所述处理容器的内部将多个基板分多层收容；等离子体划分壁，其气密地设置于所述处理容器的外壁，覆盖所述开口并且规定等离子体生成空间；等离子体电极，其沿着所述等离子体划分壁设置；以及处理气体供给部，其设置于所述等离子体生成空间的外部，供给等离子体生成用气体。

发明的效果

根据本公开，能够抑制微粒向基板的附着。

附图说明

图1是示出实施方式的等离子体处理装置的一例的概要图。

图2是用于说明气体喷嘴的配置的图。

图3是用于说明实施方式的等离子体处理装置中的气体的流动的图。

图4是用于说明第一例和第二例的气体喷嘴的配置的图。

图5是示出实施方式的等离子体处理方法的气体供给顺序的第一例的图。

图6是示出实施方式的等离子体处理方法的气体供给顺序的第二例的图。

图7是用于说明第三例和第四例的气体喷嘴的配置的图。

图8是示出实施方式的等离子体处理方法的气体供给顺序的第三例的图。

图9是示出实施方式的等离子体处理方法的气体供给顺序的第四例的图。