[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其具备：

处理容器，其具有纵型的筒体状，在处理容器的侧壁形成有开口，在所述处理容器的内部将多个基板分多层收容；

等离子体划分壁，其气密地设置于所述处理容器的外壁，覆盖所述开口并且规定等离子体生成空间；

等离子体电极，其沿着所述等离子体划分壁设置；以及

处理气体供给部，其设置于所述等离子体生成空间的外部，供给等离子体生成用气体。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

所述开口在所述处理容器的高度方向上细长地形成。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，

所述开口具有能够在高度方向上覆盖所述多个基板全部的长度。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述处理气体供给部包括分散喷嘴，该分散喷嘴沿着所述处理容器的高度方向延伸设置，在该分散喷嘴的长度方向上隔开间隔地形成有多个气体孔。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的等离子体处理装置，其中，

具备吹扫气体供给部，该吹扫气体供给部设置于所述等离子体生成空间，供给吹扫气体。

6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其中，

所述吹扫气体供给部包括分散喷嘴，该分散喷嘴沿着所述处理容器的高度方向延伸设置，在该分散喷嘴的长度方向上隔开间隔地形成有多个气体孔。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述等离子体电极包括一对电极，所述一对电极以相向的方式配置在所述等离子体划分壁的两侧的外表面。

8.根据权利要求1至6中的任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述等离子体电极包括在所述等离子体划分壁沿着该等离子体划分壁的长度方向设置的电感耦合型的电极。

9.一种等离子体处理方法，包括以下工序：

在处理容器的内部将多个基板分多层收容，所述处理容器具有纵型的筒体状，在所述处理容器的侧壁形成有开口；以及

向作为由等离子体划分壁规定的等离子体生成空间的外部的所述处理容器内供给等离子体生成用气体，并且，通过向沿着所述等离子体划分壁设置的等离子体电极供给射频电力来使所述等离子体生成用气体等离子体化，所述等离子体划分壁气密地设置于所述处理容器的侧壁，覆盖所述开口。

10.根据权利要求9所述的等离子体处理方法，还包括以下工序：

向所述等离子体生成空间供给吹扫气体。

11.根据权利要求10所述的等离子体处理方法，还包括以下工序：

向所述处理容器内供给原料气体，

其中，所述等离子体生成用气体是与所述原料气体进行反应来生成反应生成物的反应气体，

在所述等离子体处理方法中，重复进行包括供给所述原料气体的工序、使所述等离子体生成用气体等离子体化的工序、以及供给所述吹扫气体的工序的循环。

12.根据权利要求11所述的等离子体处理方法，还包括以下工序：

通过向作为所述等离子体生成空间的外部的所述处理容器内供给改性气体，并且向所述等离子体电极供给射频电力，来使所述改性气体等离子体化，

在所述等离子体处理方法中，重复进行包括供给所述原料气体的工序、使所述等离子体生成用气体等离子体化的工序、供给所述吹扫气体的工序、以及使所述改性气体等离子体化的工序的循环。

13.根据权利要求12所述的等离子体处理方法，其中，

所述原料气体是二氯硅烷气体，所述反应气体是氨气，所述改性气体是氢气。