[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理方法

说明书

提供一种能够延长干式清洗周期的技术。根据本公开的一个实施方式的等离子体处理装置包括：处理容器，具有在侧壁上形成有开口的筒体状，并且多级地容纳多个基板；等离子体区划壁，气密地设置在所述处理容器的侧壁上，并且覆盖所述开口并对等离子体生成空间进行界定；第一等离子体电极对，包括与所述等离子体区划壁的两侧的外表面相对地布置的一对电极，并且被施加RF电力；以及第二等离子体电极对，包括与所述等离子体区划壁的两侧的外表面相对地布置的一对电极，并且被施加RF电力。

技术领域

本公开涉及一种等离子体处理装置及等离子体处理方法。

背景技术

已知一种技术，其在反应管的外侧以面对用于产生等离子体的区域的方式布置一对颗粒收集用电极，并在成膜周期中，以与置换工序并行的方式对颗粒收集用电极施加正的直流电压(例如参见专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-167157号公报

发明内容

本发明要解决的问题

本公开提供一种能够延长干式清洗周期的技术。

用于解决问题的手段

根据本公开的一个实施方式，提供一种等离子体处理装置，包括：处理容器，具有在侧壁上形成有开口的筒体状，并且多级地容纳多个基板；等离子体区划壁，气密地设置在所述处理容器的侧壁上，并且覆盖所述开口并对等离子体生成空间进行界定；第一等离子体电极对，包括与所述等离子体区划壁的两侧的外表面相对地布置的一对电极，并且被施加RF电力；以及第二等离子体电极对，包括与所述等离子体区划壁的两侧的外表面相对地布置的一对电极，并且被施加RF电力。

发明的效果

根据本公开，能够延长干式清洗周期。

附图说明

图1是示出实施方式的等离子体处理装置的一个示例的示意图。

图2是沿图1的II-II线的剖视图。

图3是放大地示出等离子体生成部的图。

图4是示出等离子体生成部的电路构成的一个示例的图。

图5是用于对等离子体生成部的动作的一个示例进行说明的图。

图6是示出实施方式的等离子体处理方法的一个示例的流程图。

具体实施方式

以下，参照附图对本公开的非限定性的示例性的实施方式进行说明。在所有附图中，针对相同或对应的部件或零件，赋予相同或对应的符号，并省略重复的说明。

[等离子体处理装置]

参照图1和图2对实施方式的等离子体处理装置的一个示例进行说明。图1是示出实施方式的等离子体处理装置的一个示例的示意图。图2是沿图1的II-II线的剖视图。

等离子体处理装置1包括处理容器10、气体供给部20、等离子体生成部30、排气部40、加热部50、以及控制部90。

处理容器10具有下端被开口的附带顶板的纵型的筒体状。整个处理容器10例如由石英形成。在处理容器10的下端的开口经由密封部件(未图示)而连接有被成形为筒体状的金属制的歧管11。

歧管11对处理容器10的下端进行支承，并且从歧管11的下方将多级地放置有多片(例如25～150片)基板W的舟皿12插入处理容器10内。这样一来，在处理容器10内，以沿上下方向具有间隔的方式大致水平地容纳多片基板W。基板W例如是半导体晶圆。