[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，包括：

处理容器，具有在侧壁上形成有开口的筒体状，并且多级地容纳多个基板；

等离子体区划壁，气密地设置在所述处理容器的侧壁上，并且覆盖所述开口并对等离子体生成空间进行界定；

第一等离子体电极对，包括与所述等离子体区划壁的两侧的外表面相对地布置的一对电极，并且被施加RF电力；以及

第二等离子体电极对，包括与所述等离子体区划壁的两侧的外表面相对地布置的一对电极，并且被施加RF电力。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

所述第二等离子体电极对在所述处理容器的径向上与所述第一等离子体电极对相邻地布置。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，

所述第二等离子体电极对以与所述第一等离子体电极对之间空出3mm～10mm的距离的方式布置。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述第二等离子体电极对的电极之间的距离与所述第一等离子体电极对的电极之间的距离相同。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述第二等离子体电极对的各电极的面积与所述第一等离子体电极对的各电极的面积不同。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的等离子体处理装置，还包括：

RF电源，向所述第一等离子体电极对和所述第二等离子体电极对施加RF电力；以及

切换部，对所述RF电源与所述第一等离子体电极对和所述第二等离子体电极对的连接状态进行切换。

7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其中，

所述切换部包括继电器电路。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的等离子体处理装置，还包括：

绝缘保护罩，以包括所述第一等离子体电极对的各电极与所述第二等离子体电极对的各电极之间的部分的方式设置。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述第二等离子体电极对相对于所述第一等离子体电极对布置在所述处理容器的中心侧，

在所述处理容器内存在基板的状态下，向所述第一等离子体电极对施加RF电力，

在所述处理容器内不存在基板的状态下，向所述第二等离子体电极对施加RF电力。

10.一种由等离子体处理装置进行的等离子体处理方法，该等离子体处理装置包括：

处理容器，具有在侧壁上形成有开口的筒体状，并且多级地容纳多个基板；

等离子体区划壁，气密地设置在所述处理容器的侧壁上，并且覆盖所述开口并对等离子体生成空间进行界定；以及

第一等离子体电极对和第二等离子体电极对，包括与所述等离子体区划壁的两侧的外表面相对地布置的一对电极，并且被施加RF电力，

所述等离子体处理方法包括：

在所述处理容器内容纳有基板的状态下，向所述第一等离子体电极对施加RF电力以在所述基板上形成膜的成膜工序；以及

在所述处理容器内未容纳有基板的状态下，向所述第二等离子体电极对施加RF电力以将沉积在所述等离子体生成空间处的膜去除的去除工序。

11.根据权利要求10所述的等离子体处理方法，还包括：

将基板搬入所述处理容器内的搬入工序；以及

将在所述成膜工序中形成了膜的所述基板搬出的搬出工序，

其中，依次重复所述搬入工序、所述成膜工序、所述搬出工序、以及所述去除工序。