[发明专利]参考电压产生电路

说明书

本申请涉及一种参考电压产生电路，包括：耗尽型氮化镓基MOS管和增强型氮化镓基MOS管，所述耗尽型氮化镓基MOS管和增强型氮化镓基MOS管串联连接；所述参考电压产生电路通过所述耗尽型氮化镓基MOS管和所述增强型氮化镓基MOS管的阈值电压匹配，使所述耗尽型耗尽型氮化镓基MOS管与所述增强型氮化镓基MOS管的阈值电压的绝对值相等，以使所述耗尽型氮化镓基MOS管和所述增强型氮化镓基MOS管的串联连接点输出稳定的参考电压。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种参考电压产生电路。

背景技术

CMOS电路的基本单元电路反相器由N沟道和P沟道MOS场效应晶体管对管构成，以推挽形式工作，能实现一定逻辑功能的集成电路，简称CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，互补金属氧化物半导体)。

在传统的CMOS技术中，受限于Si(硅)材料的电子迁移率和禁带宽度。CMOS电源电压只能在低压工作，只能在不超过5V的范围下工作，但实际工业应用需要有上百伏的宽范围的工作电压。

同时，Si只能在125℃下工作，而电动汽车、石油等电子系统需要150℃～300℃的工作温度。因此传统的Si基CMOS电路受到大电压应用和高温应用的限制。

而且以往的CMOS电路的参考电压产生电路，由于受到Si基器件电压范围的限制，需要在输入电压部分接入预调整级以实现安全工作，并且后端设置缓冲级输出到下一部分。从而使得参考电压产生电路的逻辑模块复杂，工作电源电压范围小。

因此，有必要对现有技术予以改良以克服现有技术中的所述缺陷。

发明内容

本发明的目的在于提供一种参考电压产生电路，以解决现有技术中参考电压产生电路的逻辑模块复杂、工作电源电压范围小等问题。

本发明的目的是通过以下技术方案实现：

一种参考电压产生电路，包括：

互补的耗尽型氮化镓基MOS管和增强型氮化镓基MOS管，所述耗尽型氮化镓基MOS管和增强型氮化镓基MOS管串联连接；

所述参考电压产生电路通过所述耗尽型氮化镓基MOS管和所述增强型氮化镓基MOS管的阈值电压匹配，使所述耗尽型氮化镓基MOS管与所述增强型氮化镓基MOS管的阈值电压的绝对值相等，以使所述耗尽型氮化镓基MOS管和所述增强型氮化镓基MOS管的串联连接点输出稳定的参考电压。

可选地，在本发明参考电压产生电路的一个实施例中，该参考电压产生电路通过对所述耗尽型氮化镓基MOS管和增强型氮化镓基MOS管进行高温下的阈值电压漂移补偿，以实现所述参考电压产生电路高温下的温度补偿。

可选地，在本发明参考电压产生电路的一个实施例中，所述参考电压产生电路具体为：

所述耗尽型氮化镓基MOS管的漏极接入电源电压，所述耗尽型氮化镓基MOS管的栅极接地；

所述增强型氮化镓基MOS管的栅极和漏极相连，所述增强型氮化镓基MOS管的源极接地，所述增强型氮化镓基MOS管的栅极和漏极的连接点产生参考电压。

可选地，在本发明参考电压产生电路的一个实施例中，高温下的阈值电压漂移补偿，包括：

所述参考电压产生电路的输出为与绝对温度成正比以及与绝对温度互补的参考电压，以实现在高温下保持稳定的参考电压输出。

可选地，在本发明参考电压产生电路的一个实施例中，增强型氮化镓基MOS管的阈值电压随温度升高而上升，以实现输出与绝对温度成正比的参考电压。

可选地，在本发明参考电压产生电路的一个实施例中，耗尽型氮化镓基MOS管的阈值电压的绝对值随温度升高而减少，以实现输出与绝对温度互补的参考电压。