[发明专利]参考电压产生电路

权利要求书

1.一种参考电压产生电路，其特征在于，包括：

互补的耗尽型氮化镓基MOS管和增强型氮化镓基MOS管，所述耗尽型氮化镓基MOS管和增强型氮化镓基MOS管串联连接；

所述参考电压产生电路通过所述耗尽型氮化镓基MOS管和所述增强型氮化镓基MOS管的阈值电压匹配，使所述耗尽型氮化镓基MOS管与所述增强型氮化镓基MOS管的阈值电压的绝对值相等，以使所述耗尽型氮化镓基MOS管和所述增强型氮化镓基MOS管的串联连接点输出稳定的参考电压；

其中，GaN基底的MOS管能够在0～100V下稳定工作，所述参考电压产生电路具体为：

所述耗尽型氮化镓基MOS管的漏极接入电源电压，所述耗尽型氮化镓基MOS管的栅极接地；

所述增强型氮化镓基MOS管的栅极和漏极相连，所述增强型氮化镓基MOS管的源极接地，所述增强型氮化镓基MOS管的栅极和漏极的连接点产生参考电压；当接入所述电源电压后，所述耗尽型氮化镓基MOS管接通，所述连接点电压瞬间达到所述耗尽型氮化镓基MOS管的阈值电压，当所述连接点电压大于所述耗尽型氮化镓基MOS管的阈值电压的同时所述增强型氮化镓基MOS管导通；

所述参考电压产生电路通过对所述耗尽型氮化镓基MOS管和增强型氮化镓基MOS管进行高温下的阈值电压漂移补偿，以实现所述参考电压产生电路高温下的温度补偿；所述高温下的阈值电压漂移补偿，包括：

所述参考电压产生电路的输出为与绝对温度成正比以及与绝对温度互补的参考电压，以实现在高温下保持稳定的参考电压输出；

所述增强型氮化镓基MOS管的阈值电压随温度升高而上升，以实现输出与绝对温度成正比PTAT的参考电压；

所述耗尽型氮化镓基MOS管的阈值电压的绝对值随温度升高而减少，以实现输出与绝对温度互补CTAT的参考电压；在PTAT与CTAT同时匹配的情况下，参考电压产生电路实现在高温下保持稳定的参考电压输出；

所述增强型氮化镓基MOS管的栅极宽度小于100微米；所述耗尽型氮化镓基MOS管的栅极宽度小于10微米。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述耗尽型氮化镓MOS管的栅极宽度与所述增强型氮化镓基MOS管的栅极宽度的比值为1:10。