[发明专利]不包含挥发酸的蚀刻液组合物

说明书

本发明涉及一种可以在形成阵列基板的金属布线时使用的不包含乙酸的蚀刻液组合物。本发明可以提供一种包含磷酸40至65重量％、硝酸2至10重量％、非挥发性有机酸1至10重量％、铵盐化合物以及氨基酸，所述铵盐化合物的含量以及所述氨基酸的含量的之为2至10重量％的蚀刻液组合物。本发明的蚀刻液组合物可以在对银(Ag)单一膜或包含银(Ag)的多重膜进行蚀刻时对所述多重膜的残渣进行控制并增加蚀刻液的使用时间，还可以降低蚀刻液的挥发性，从而在大面积阵列基板上形成均匀的布线。

技术领域

本发明涉及一种不包含挥发酸的蚀刻液组合物，尤其涉及一种可以在形成阵列基板的金属布线时使用的不包含挥发酸的蚀刻液组合物。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Firm Transistor，TFT)在液晶显示装置或有机发光二极管(OLED，Organic Light Emitting Diode)显示装置等中作为用于向各个像素施加特定信号进行驱动的电路使用。

其中作为在反射膜中使用的金属，在过去使用铝(Al)反射板，但是目前使用如包含银(Ag)的氧化铟锡或氧化铟锌等多重膜层(Layer)。但是因为包含银(Ag)的多重膜层(Layer)与下部基板的粘接性降低且蚀刻速度过快，因此很容易形成不均衡的布线。

因此，需要一种可以改善现有的蚀刻液中的薄膜翘起、因为过度蚀刻而导致的在阵列中形成不均匀的图案且形成残渣的问题以及因为现有的较短寿命而导致的银(Ag)蚀刻液使用时间过短的问题，从而改善其稳定性并节省成本的蚀刻液组合物。

发明内容

本发明所要解决的课题

因此，本发明的目的在于提供一种可以实现对银(Ag)单一膜或包含银(Ag)的多重膜的残渣控制，而且可以在大面积阵列基板形成均匀的布线并增加蚀刻液的使用时间的蚀刻液组合物。

本发明的另一目的在于提供一种可以通过使用不包含挥发酸的蚀刻液而提升使用时间并提升稳定性的蚀刻液组合物。

解决课题的方法

为了达成所述目的，本发明的蚀刻液组合物包含：磷酸40至65重量％、硝酸2至10重量％、非挥发性有机酸1至10重量％、铵盐化合物、氨基酸以及剩余含量的水。所述铵盐化合物的含量以及所述氨基酸的含量之和为2至10重量％。

所述蚀刻液组合物可以不包含挥发酸。

所述非挥发性有机酸可以从由丁二酸、丙二酸、苹果酸、马来酸、柠檬酸、酒石酸以及它们的混合物构成的组中选择。

所述铵盐化合物的含量可以是1至9重量％。

所述铵盐化合物可以从由草酸铵、磷酸铵、乙酸铵以及它们的混合物构成的组中选择。

所述氨基酸的含量可以是1至9重量％。

所述氨基酸可以从由丙氨酸、甘氨酸、天冬酰胺、天冬氨酸、焦谷氨酸、马尿酸、谷氨酸以及它们的混合物构成的组中选择。

所述蚀刻液组合物可以用于对银(Ag)单一膜或包含银(Ag)的多重膜进行蚀刻。

发明效果

本发明的不包含挥发酸的蚀刻液组合物，可以在对银(Ag)单一膜或包含银(Ag)的多重膜进行蚀刻时对所述多重膜的残渣进行控制并增加蚀刻液的使用时间，还可以降低蚀刻液的挥发性，从而在大面积阵列基板上形成均匀的布线。

附图说明

图1是在本发明的实施例中磷酸发生变化时的包含铟氧化膜-银-铟氧化膜的三重膜以及光刻胶图案的样本的扫描电子显微镜照片。

图2是在本发明的实施例中硝酸发生变化时的包含铟氧化膜-银-铟氧化膜的三重膜以及光刻胶图案的样本的扫描电子显微镜照片。