[发明专利]形成半导体器件的方法

说明书

一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成蚀刻停止层；在蚀刻停止层上方形成第一扩散阻挡层；在第一扩散阻挡层上方形成半导体器件层，半导体器件层包括晶体管；在半导体器件层的前侧的半导体器件层上方形成第一互连结构，第一互连结构电耦合至晶体管；将第一互连结构附接到载体；在附接之后去除衬底、蚀刻停止层和第一扩散阻挡层；在去除之后，在半导体器件层的背侧处形成第二互连结构。

技术领域

本发明的实施例涉及形成半导体器件的方法。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用中，例如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过以下方式制造半导体器件：依次在半导体衬底上沉积绝缘层或电介质层、导电层和材料的半导体层，并使用光刻在各种材料层上图案化以在其上形成电路组件和元件。

半导体行业通过不断减小最小部件尺寸来不断提高各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，从而允许将更多的组件集成到给定区域中。但是，随着最小部件尺寸的减小，出现了应解决的其他问题。

发明内容

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种形成半导体器件的方法，方法包括：在衬底上形成蚀刻停止层；在蚀刻停止层上方形成第一扩散阻挡层；在第一扩散阻挡层上方形成半导体器件层，半导体器件层包括晶体管；在半导体器件层的前侧的半导体器件层上方形成第一互连结构，第一互连结构电耦合至晶体管；将第一互连结构附接到载体；在附接之后，去除衬底、蚀刻停止层和第一扩散阻挡层；以及在去除之后，在半导体器件层的背侧处形成第二互连结构。

根据本发明实施例的另一个方面，提供了一种形成半导体器件的方法，方法包括：在衬底上方形成蚀刻停止层，蚀刻停止层包括由第一掺杂剂掺杂的第一半导体材料；在蚀刻停止层上方形成第一扩散阻挡层，第一扩散阻挡层包括与不连续的氧层交错的硅层；在第一扩散阻挡层上方外延形成第二半导体材料；在第二半导体材料中形成晶体管；在第二半导体材料上方形成第一互连结构；将第一互连结构附接到载体；以及在附接之后，去除衬底、蚀刻停止层和第一扩散阻挡层。

根据本发明实施例的又一个方面，提供了一种形成半导体器件的方法，方法包括：在衬底上形成掺杂的半导体层；在掺杂的半导体层上方形成扩散阻挡层，扩散阻挡层包括交替的外延硅层和氧的部分单层；在扩散阻挡层上方形成包括晶体管的器件层；以及将器件层转移到工件上，其中，转移包括：将器件层接合到工件；和在接合之后，去除衬底、掺杂的半导体层和扩散阻挡层。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1根据一些实施例以三维视图示出了纳米结构场效应晶体管(nano-FET)的示例。

图2A和图2B示出了根据实施例的具有蚀刻停止层和扩散阻挡层的衬底的截面图。

图3示出了根据另一实施例的具有蚀刻停止层和扩散阻挡层的衬底的截面图。

图4示出了根据又一个实施例的具有蚀刻停止层和扩散阻挡层的衬底的截面图。